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参数资料
| 型号： | 2SK3793-AZ |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V MP-45F/TO-220 |
| 标准包装： | 200 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 125 毫欧 @ 6A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 21nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 900pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 隔离片 |
| 供应商设备封装： | TO-220 隔离的标片 |
| 包装： | 散装 |
2SK3793
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25°C)
120
100
DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
25
20
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
CASE TEMPERATURE
80
15
60
40
20
0
10
5
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0
25
50
75
100
125
150
175
100
T C - Case Temperature - ° C
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
T C - Case Temperature - ° C
R DS(on) Limited
I D(pulse)
PW = 100 μ s
10
1
(at V GS = 10 V)
I D(DC)
1 ms
Power Dissipation Limited
0.1
0.01
T C = 25°C
Ｓ ingle pulse
10 ms
0.1
1
10
100
V DS - Drain to Source Voltage - V
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
1000
100
R th(ch-A) = 62.5°C/W
10
R th(ch-C) = 6.25°C/W
1
0.1
Single pulse
0.01
100 μ
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
PW - Pulse Width - s
Data Sheet D16777EJ1V0DS
3
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