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参数资料
| 型号： | 2SK3793-AZ |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 8/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V MP-45F/TO-220 |
| 标准包装： | 200 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 125 毫欧 @ 6A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 21nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 900pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 隔离片 |
| 供应商设备封装： | TO-220 隔离的标片 |
| 包装： | 散装 |
2SK3793
100
SINGLE AVALANCHE CURRENT vs.
INDUCTIVE LOAD
100
SINGLE AVALANCHE ENERGY
DERATING FACTOR
V DD = 50 V
10
I AS = 10 A
80
60
R G = 25 ?
V GS = 20 → 0 V
I AS ≤ 10 A
1
V DD = 50 V
R G = 25 ?
V GS = 20 → 0 V
E AS = 10 mJ
40
20
Starting T ch = 25°C
0.1
0
1 μ
10 μ
100 μ
1m
10 m
25
50
75
100
125
150
6
L - Inductive Load - H
Data Sheet D16777EJ1V0DS
Starting T ch - Starting Channel Temperature - °C
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PDF描述 |
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