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参数资料
| 型号： | 2SK3793-AZ |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V MP-45F/TO-220 |
| 标准包装： | 200 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 125 毫欧 @ 6A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 21nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 900pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 隔离片 |
| 供应商设备封装： | TO-220 隔离的标片 |
| 包装： | 散装 |
2SK3793
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
CAPACITANCE vs. DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
250
200
150
100
Pulsed
V GS = 4.5 V
10 V
10000
1000
V GS = 0 V
f = 1 MHz
C iss
100
50
0
10
C oss
C rss
-100
-50
0
50
100
150
200
0.001
0.1
10
1000
T ch - Channel Temperature - °C
SWITCHING CHARACTERISTICS
V DS - Drain to Source Voltage - V
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
100
V DD = 50 V
V GS = 10 V
R G = 0 ?
t d(off)
120
100
80
V DD = 80 V
50 V
I D = 12 A
12
10
8
20 V
10
t d(on)
60
6
t r
1
t f
40
20
0
V DS
V GS
4
2
0
0.1
1
10
100
0
5
10
15
20
25
I D - Drain Current - A
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
Q G - Gate Charge - nC
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DIODE FORWARD CURRENT
100
10
V GS = 10 V
Pulsed
1000
V GS = 0 V
di/dt =100 A/ μ s
100
1
4.5 V
0V
10
0.1
0.01
1
0
0.5
1
1.5
0.1
1
10
100
V F(S-D) - Source to Drain Voltage - V
Data Sheet D16777EJ1V0DS
I F - Diode Forward Current - A
5
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