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参数资料
| 型号： | 2SK3793-AZ |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V MP-45F/TO-220 |
| 标准包装： | 200 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 125 毫欧 @ 6A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 21nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 900pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 隔离片 |
| 供应商设备封装： | TO-220 隔离的标片 |
| 包装： | 散装 |
2SK3793
25
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
Pulsed
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
100
20
V GS = 10 V
10
T A = 150°C
75°C
25°C
15
10
5
4.5 V
1
0.1
0.01
? 55°C
V DS = 10 V
Pulsed
0
0.001
0
1
2
3
4
1
2
3
4
5
3
V DS - Drain to Source Voltage - V
GATE CUT-OFF VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
100
V GS - Gate to Source Voltage - V
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
2.5
V DS = 10 V
I D = 1 mA
T A = ? 55°C
25°C
2
10
75°C
150°C
1.5
1
1
0.1
0.5
0
0.01
V DS = 10 V
Pulsed
-100
-50
0
50
100
150
200
0.01
0.1
1
10
100
T ch - Channel Temperature - ° C
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
DRAIN CURRENT
I D - Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
200
150
Pulsed
200
150
Pulsed
I D = 12 A
100
V GS = 4.5 V
100
6A
10 V
50
0
50
0
0.1
1
10
100
0
5
10
15
20
4
I D - Drain Current - A
Data Sheet D16777EJ1V0DS
V GS - Gate to Source Voltage - V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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