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参数资料
| 型号： | 2SK3812-ZP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 110 A, 60 V, 0.0037 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
| 封装： | TO-263, MP-25ZP, 3 PIN |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 141K |
| 代理商： | 2SK3812-ZP |
Data Sheet D16738EJ1V0DS
4
2SK3812
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
I
D
-
Dr
ain
Cur
rent
-
A
0
100
200
300
400
500
0
0.4
0.8
1.2
1.6
VGS = 10 V
Pulsed
4.5 V
VDS - Drain to Source Voltage - V
I
D
-
Dr
ain
Cur
rent
-
A
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
1
234
5
TA = 150°C
75°C
25°C
55°C
VDS = 10 V
Pulsed
VGS - Gate to Source Voltage - V
GATE CUT-OFF VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
V
G
S
(off)
-
Gate
C
ut
-off
Voltage
-
V
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
-75
-25
25
75
125
175
VDS = 10 V
ID = 1 mA
Tch - Channel Temperature -
°C
|
y
fs
|-
Forward
T
ransfer
Admittan
ce
-
S
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
1000
VDS = 10 V
Pulsed
TA = 150°C
75°C
25°C
55°C
ID - Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
DRAIN CURRENT
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
R
DS(
on)
-Drain
to
S
ource
On
-state
Re
sistance
-m
0
1
2
3
4
5
6
1
10
100
1000
Pulsed
10 V
VGS = 4.5 V
ID - Drain Current - A
R
DS(
on)
-Drain
to
S
ource
On
-state
Re
sistance
-m
0
1
2
3
4
5
6
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20
Pulsed
ID = 110 A
55 A
22 A
VGS - Gate to Source Voltage - V
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