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参数资料
| 型号： | 2SK4069-ZK-E1-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 25V MP-3ZK/TO-252 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 30A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 12 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17nC @ 12V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 860pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252（MP-3Z） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
2SK4069
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25°C)
120
100
DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
25
20
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
CASE TEMPERATURE
80
15
60
10
40
20
0
5
0
0
25
50
75
100
125 150
175
0
25
50
75
100
125
150
175
T C - Case Temperature - ° C
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
1000
I D(pul se)
T C - Case Temperature - ° C
DRAIN CURRENT vs CASE TEMPERATURE
40
100
10
I D(DC)
R DS(on) Limit ed
P/W = 100 μ s
1 ms
30
20
(V GS = 10 V)
1
Power Dissipat ion Limited
10 ms
10
T C = 25°C
Single pulse
0.1
0
0.1
1
10
100
0
50
100
150
V DS - Drain to Source Voltage – V
T C - Case Temperature - ° C
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
1000
R th(ch-A) = 125°C/W
100
10
R th(ch-C) = 5.95°C/W
1
Single pulse
0.1
100 μ
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
PW - Pulse Width – s
Data Sheet D18032EJ3V0DS
3
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| 2SK4069-ZK-E2-AY | 功能描述:MOSFET N-CH 25V MP-3ZK/TO-252 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| 2SK4070 | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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