参数资料
型号: 2SK4069-ZK-E1-AY
厂商: Renesas Electronics America
文件页数: 8/10页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 25V MP-3ZK/TO-252
标准包装: 2,500
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 25V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 30A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 12 毫欧 @ 15A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 17nC @ 12V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 860pF @ 10V
功率 - 最大: 1W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装: TO-252(MP-3Z)
包装: 带卷 (TR)
2SK4069
100
SINGLE AVALANCHE CURRENT vs.
INDUCTIVE LOAD
120
SINGLE AVALANCHE ENERGY
DERATING FACTOR
V DD = 12 V
I AS = 18 A
100
80
R G = 25 Ω
V GS = 20 → 0 V
I AS ≤ 18 A
10
V DD = 12 V
V GS = 20 → 0 V
R G = 25 Ω
Starting T ch = 25°C
E AS = 32.4 mJ
60
40
20
1
0.01
0.1
1
10
0
25
50
75
100
125
150
6
L - Inductive Load – mH
Data Sheet D18032EJ3V0DS
Starting T ch - Starting Channel Temperature - °C
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PDF描述
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参数描述
2SK4069-ZK-E2-AY 功能描述:MOSFET N-CH 25V MP-3ZK/TO-252 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
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