- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录378 > 2SK4124 (ON Semiconductor)MOSFET N-CH 500V 20A TO-3PB Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | 2SK4124 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 20A TO-3PB |
| 产品目录绘图： | TO-3PB Package N-Channel Top |
| 标准包装： | 100 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 20A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 430 毫欧 @ 8A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 46.6nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1200pF @ 30V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3PB |
| 包装： | 托盘 |
| 产品目录页面： | 1537 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 869-1070 |
2SK4124
45
ID -- VDS
45
ID -- VGS
40
Tc=25°C
15V
10V
40
VDS=20V
Tc= --25°C
25°C
35
35
30
25
20
15
10
5
0
8V
6V
VGS=5V
30
25
20
15
10
5
0
75°C
0
5
10
15
20
25
30
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
1.2
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
RDS(on) -- VGS
IT11732
1.0
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
RDS(on) -- Tc
IT11733
ID=8A
0.9
1.0
0.8
0.8
0.7
=1
, VG
0.6
Tc=75°C
0.6
0.5
0.4
=8
ID
A
S
0V
0.4
0.2
0
25°C
--25°C
0.3
0.2
0.1
0
3
5
7
9
11
13
15
--50
--25
0
25
50
75
100
125
150
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
3
2
| y fs | -- ID
IT11734
VDS=10V
5
3
2
Case Temperature, Tc -- ° C
IS -- VSD
IT11735
VGS=0V
10
10
7
2
5 ° C
7
5
3
5 ° C
° C
5
3
Tc
=
--2
75
2
1.0
7
5
2
1.0
7
5
3
3
2
0.1
7
5
3
2
0.01
0.1
2
3
5
7 1.0
2
3
5
7 10
2
3
5
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1000
7
5
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
IT11736
VDD=200V
VGS=10V
10000
7
5
3
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Ciss, Coss, Crss -- VDS
IT11737
f=1MHz
3
2
Ciss
2
td (off)
1000
7
5
100
7
5
3
tr
td(on)
tf
3
2
100
7
5
C o ss
Crss
2
10
3
2
10
0.1
2
3
5 7 1.0
2
3
5 7 10
2
3
5
7
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
Drain Current, ID -- A
IT11738
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT11739
No. A0746-3/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK4125 | MOSFET N-CH 600V 17A TO-3PB |
| 2V7002LT1G | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23-3 |
| 2V7002WT1G | MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3 |
| 30 PSI-G-4V | SENSOR 30PSIG 4V DUAL |
| 3003308 | SHIELDING TAPE COPPER 8MMX33M |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SK4124_0712 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| 2SK4124_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| 2SK4124-1E | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:NCH 10V DRIVE SERIES - Ammo Pack 制造商:ON Semiconductor 功能描述:FNFLD - NCH 10V DRIVE SERIES |
| 2SK4124-1EX | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:NCH 10V DRIVE SERIES |
| 2SK4125 | 功能描述:MOSFET POWER MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。