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参数资料
| 型号： | 2SK4124 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 20A TO-3PB |
| 产品目录绘图： | TO-3PB Package N-Channel Top |
| 标准包装： | 100 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 20A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 430 毫欧 @ 8A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 46.6nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1200pF @ 30V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3PB |
| 包装： | 托盘 |
| 产品目录页面： | 1537 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 869-1070 |
2SK4124
1m
10 1 m
s
0m s
e a r
tio
μ s
10
9
8
7
6
VDS=200V
ID=20A
VGS -- Qg
100
7
5
3
2
10
7
5
3
2
IDP=60A(PW≤10μs)
ID=20A
ASO
DC
op
0
s
n
10
0 μ
10
s
5
4
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
Operation in
this area is
limited by RDS(on).
Single pulse
0.1
1
0
0
10
20
30
40
50
3
0.01
2 Tc=25 ° C
2 3 5 7 1.0
2 3
5 7 10
2 3
5 7 100
2 3
5 7 1000
3.0
Total Gate Charge, Qg -- nC
PD -- Ta
IT12415
200
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
PD -- Tc
IT16847
180
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
170
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
20
40
60
80
100
120
140
160
120
Ambient Temperature, Ta -- ° C
EAS -- Ta
IT12248
Case Temperature, Tc -- ° C
IT12249
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IT10478
No. A0746-4/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK4125 | MOSFET N-CH 600V 17A TO-3PB |
| 2V7002LT1G | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23-3 |
| 2V7002WT1G | MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3 |
| 30 PSI-G-4V | SENSOR 30PSIG 4V DUAL |
| 3003308 | SHIELDING TAPE COPPER 8MMX33M |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SK4124_0712 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| 2SK4124_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| 2SK4124-1E | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:NCH 10V DRIVE SERIES - Ammo Pack 制造商:ON Semiconductor 功能描述:FNFLD - NCH 10V DRIVE SERIES |
| 2SK4124-1EX | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:NCH 10V DRIVE SERIES |
| 2SK4125 | 功能描述:MOSFET POWER MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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