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参数资料
| 型号： | 2ST2121 |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 17 A, 250 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 封装： | ROHS COMPLIANT PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 134K |
| 代理商： | 2ST2121 |
Electrical characteristics
2ST2121
4/8
2.1
Electrical characteristics (curves)
Figure 2.
Safe operating area
Figure 3.
Derating curve
Figure 4.
Output characteristics
Figure 5.
DC current gain
Figure 6.
Collector-emitter saturation
voltage
Figure 7.
Base-emitter voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| 2STC5948 | 17 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2STF1360 | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2STN1360 | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 2ST5949 | 功能描述:两极晶体管 - BJT High PWR NPN planar bipolar trans RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2ST5949_0807 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:High power NPN epitaxial planar bipolar transistor |
| 2STA1694 | 功能描述:两极晶体管 - BJT High power PNP Bipolar transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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