- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录33509 > 2ST2121 (STMICROELECTRONICS) 17 A, 250 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2ST2121 |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 17 A, 250 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 封装： | ROHS COMPLIANT PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 134K |
| 代理商： | 2ST2121 |
2ST2121
Package mechanical data
5/8
3
Package mechanical data
In order to meet environmental requirements, ST offers these devices in ECOPACK
packages. These packages have a Lead-free second level interconnect . The category of
second level interconnect is marked on the package and on the inner box label, in
compliance with JEDEC Standard JESD97. The maximum ratings related to soldering
conditions are also marked on the inner box label. ECOPACK is an ST trademark.
ECOPACK specifications are available at: www.st.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2STA1943 | 15 A, 230 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-264AA |
| 2STC5200 | 15 A, 230 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-264AA |
| 2STC5948 | 17 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2STF1360 | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2STN1360 | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2ST31A | 功能描述:两极晶体管 - BJT Low voltage NPN Power Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2ST501T | 功能描述:达林顿晶体管 PWR BIP/S.SIGNAL RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| 2ST5949 | 功能描述:两极晶体管 - BJT High PWR NPN planar bipolar trans RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2ST5949_0807 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:High power NPN epitaxial planar bipolar transistor |
| 2STA1694 | 功能描述:两极晶体管 - BJT High power PNP Bipolar transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。