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参数资料
| 型号： | 2STF1525 |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 5 A, 25 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 98K |
| 代理商： | 2STF1525 |
November 2009
Doc ID 15794 Rev 2
1/7
7
2STF1525
Low voltage high performance NPN power transistor
Features
■ Very low collector-emitter saturation voltage
■ High current gain characteristic
■ Fast switching speed
Applications
■ Emergency lighting
■ LED drive
■ Motherboard and hard disk drive
■ Mobile equipment
■ DC-DC converter, voltage regulation
Description
The device is a NPN transistor manufactured
using new “PB-HCD” (power bipolar high current
density) technology. The resulting transistor
shows exceptional high gain performances
coupled with very low saturation voltage.
Figure 1.
Internal schematic diagram
SOT-89
4
3
2
1
Table 1.
Device summary
Order codes
Marking
Package
Packaging
2STF1525
1525
SOT-89
Tape and reel
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2STL1525 | 5000 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2STW1695 | 10 A, 140 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247 |
| 2STW200 | 25 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247 |
| 2STW100 | 25 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247 |
| 2STW4468 | 10 A, 140 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2STF1550 | 功能描述:两极晶体管 - BJT LO VLT HI PRM PW TRN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2STF1550_08 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:Low voltage high performance NPN power transistors |
| 2STF2220 | 功能描述:两极晶体管 - BJT Hi gain Lo Vltg PNP Pwr transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2STF2220_07 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:High gain Low Voltage PNP power transistor |
| 2STF2280 | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP LV High Perf PWR Trans - 80V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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