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参数资料
| 型号： | 2STF1525 |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 5 A, 25 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 98K |
| 代理商： | 2STF1525 |
2STF1525
Electrical characteristics
Doc ID 15794 Rev 2
3/7
2
Electrical characteristics
Tcase = 25 °C unless otherwise specified.
Table 4.
Electrical characteristics
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
ICBO
Collector cut-off current
(IE = 0)
VCB = 50 V
0.1
A
IEBO
Emitter cut-off current
(IC = 0)
VEB = 4 V
0.1
A
V(BR)CEX
Collector-emitter
breakdown voltage
(VBE = -1.5 V)
IC = 1 mA
95
V
V(BR)CEO
(1)
1.
Pulse test: pulse duration
≤ 300 s, duty cycle ≤ 2 %
Collector-emitter
breakdown voltage
(IB = 0)
IC = 10 mA
25
V
V(BR)EBO
Emitter-base breakdown
voltage (IC = 0)
IE = 100 A
5
V
hFE
(1)
DC current gain
IC = 0.5 A
VCE = 2 V
IC = 3 A
VCE = 2 V
IC = 5 A
VCE = 5 V
150
100
150
500
VCE(sat)
(1)
Collector-emitter
saturation voltage
IC = 3 A
IB = 300 mA
IC = 3.5 A
IB = 40 mA
220
500
mV
VBE(sat)
(1)
Base-emitter saturation
voltage
IC = 3 A
IB = 300 mA
1.2
V
CCBO
Collector-base
capacitance (IE = 0)
VCB = 10 V, f = 1 MHz
20
pF
fT
Transition frequency
VCE = 10 V IC = 50 mA
120
MHz
ton
toff
Resistive load
Turn-on time
Turn-off time
IC = 1.5 A
VCC = 10 V
IB1 = -IB2 = 150 mA
60
450
ns
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