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参数资料
| 型号： | 2STF1525 |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 5 A, 25 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 98K |
| 代理商： | 2STF1525 |
Electrical ratings
2STF1525
2/7
Doc ID 15794 Rev 2
1
Electrical ratings
Table 2.
Absolute maximum ratings
Symbol
Parameter
Value
Unit
VCEX
Collector-emitter voltage (VBE = - 1.5 V)
95
V
VCEO
Collector-emitter voltage (IB = 0)
25
V
VEBO
Emitter-base voltage (IC = 0)
5
V
IC
Collector current
5
A
ICM
Collector peak current (tP < 5 ms)
10
A
IB
Base current
1
A
PTOT
Total dissipation at Tamb = 25 °C
1.4
W
TSTG
Storage temperature
-65 to 150
°C
TJ
Max. operating junction temperature
150
°C
Table 3.
Thermal data
Symbol
Parameter
Value
Unit
RthJA
(1)
1.
Device mounted on PCB area of 1 cm2
Thermal resistance junction-ambient __max
89
°C/W
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2STL1525 | 5000 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
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| 2STW200 | 25 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247 |
| 2STW100 | 25 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247 |
| 2STW4468 | 10 A, 140 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| 2STF1550_08 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:Low voltage high performance NPN power transistors |
| 2STF2220 | 功能描述:两极晶体管 - BJT Hi gain Lo Vltg PNP Pwr transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2STF2220_07 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:High gain Low Voltage PNP power transistor |
| 2STF2280 | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP LV High Perf PWR Trans - 80V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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