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参数资料
| 型号： | 3LN01C-TB-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 150mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.7 欧姆 @ 80mA，4V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 1.58nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 250mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | 3-CP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
3LN01C
0.16
ID -- VDS
0.30
ID -- VGS
VDS=10V
0.14
3.5V
0.25
0.12
4.0V
2.0
V
0.20
0.10
0.08
0.15
VGS=1.5V
0.06
0.10
0.04
0.05
0.02
0
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
10
Drain to Source Voltage, VDS -- V
RDS(on) -- VGS
IT00029
10
Gate to Source Voltage, VGS -- V
RDS(on) -- ID
IT00030
9
Ta=25 ° C
VGS=4V
7
8
7
5
6
ID=80mA
Ta=75°C
5
40mA
3
25 ° C
4
3
2
1
0
2
1.0
--25°C
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.01
2
3
5
7
0.1
2
3
5
7
1.0
10
Gate to Source Voltage, VGS -- V
RDS(on) -- ID
IT00031
100
Drain Current, ID -- A
RDS(on) -- ID
IT00032
7
5
Ta=75 ° C
V GS=2.5V
7
5
3
VGS=1.5V
2
25 ° C
3
--25 ° C
10
Ta=75°C
7
2
1.0
5
3
2
1.0
--25°C
25 ° C
0.01
2
3
5
7
0.1
2
3
5
7
1.0
0.001
2
3
5
7
0.01
2
3
5
7
0.1
7
Drain Current, ID -- A
RDS(on) -- Ta
IT00033
1.0
Drain Current, ID -- A
| yfs | -- ID
IT00034
7
VDS=10V
6
5
mA
I D=
80
=2.
S=
5
4
3
40
I D=
,
m
V GS
A, VG
5V
4.0
V
3
2
0.1
7
5
Ta=
--
25°C
75 ° C
25°C
2
3
1
0
2
0.01
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0.01
2
3
5
7
0.1
2
3
5
7
1.0
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IT00035
Drain Current, ID -- A
IT00036
No.6260-3/6
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PDF描述 |
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