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参数资料
| 型号： | 3LN01C-TB-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 150mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.7 欧姆 @ 80mA，4V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 1.58nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 250mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | 3-CP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
3LN01C
1.0
7
5
3
2
IS -- VSD
VGS=0V
1000
7
5
3
2
SW Time -- ID
td(off)
VDD=15V
VGS=4V
tf
0.1
100
7
5
3
2
0.01
7
5
3
2
10
tr
td(on)
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
0.01
2
3
5
7
0.1
2
Diode Forward Voltage, VSD -- V
IT00037
Drain Current, ID -- A
IT00038
100
7
5
Ciss, Coss, Crss -- VDS
f=1MHz
10
9
VDS=10V
ID=150mA
VGS -- Qg
8
3
7
2
6
10
Ciss
5
7
5
3
2
1.0
Coss
Crss
4
3
2
1
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0.30
Drain to Source Voltage, VDS -- V
PD -- Ta
IT00039
Total Gate Charge, Qg -- nC
IT00040
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IT00041
No.6260-4/6
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 3LN01S-TL-E | MOSFET N-CH 30V 150MA SMCP |
| 3LP01C-TB-H | MOSFET P-CH 30V 100MA CP |
| 3LP01M-TL-H | MOSFET P-CH 30V 100MA MCP |
| 3LP01SS-TL-H | MOSFET P-CH 30V 400MA SMCP |
| 4010-KFOBDEV-434 | KIT DEV SI4010 SI4355 RX 434MHZ |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 3LN01M | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| 3LN01M_06 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| 3LN01M-AL3-R | 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:N CHANNEL SILICON MOSFET GENERAL-PURPOSE SWITCHING DEVICE APPLICATIONS |
| 3LN01MG-AL3-R | 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:N CHANNEL SILICON MOSFET GENERAL-PURPOSE SWITCHING DEVICE APPLICATIONS |
| 3LN01ML-AL3-R | 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:N CHANNEL SILICON MOSFET GENERAL-PURPOSE SWITCHING DEVICE APPLICATIONS |
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