参数资料
型号: 3LN01C-TB-H
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 5/6页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP
标准包装: 3,000
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 150mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 3.7 欧姆 @ 80mA,4V
闸电荷(Qg) @ Vgs: 1.58nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 7pF @ 10V
功率 - 最大: 250mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装: 3-CP
包装: 带卷 (TR)
3LN01C
mm
Outline Drawing
3LN01C-TB-E, 3LN01C-TB-H
Mass (g) Unit
0.013
* For reference
Land Pattern Example
0.8
Unit: mm
0.95
0.95
No.6260-5/6
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PDF描述
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