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参数资料
| 型号： | 5962D0053605QYX |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 512K X 8 STANDARD SRAM, 20 ns, CDFP36 |
| 封装： | CERAMIC, DFP-36 |
| 文件页数： | 4/16页 |
| 文件大小： | 138K |
| 代理商： | 5962D0053605QYX |
12
DATA RETENTION CHARACTERISTICS (Pre-Radiation)*
(VDD = VDD (min), 1 Sec DR Pulse)
Notes:
* Post-radiation performance guaranteed at 25oC per MIL-STD-883 Method 1019.
1. E1 = VDR all other inputs = VDR or VSS.
SYMBOL
PARAMETER
TEMP
MINIMUM
MAXIMUM
UNIT
VDR
VDD for data retention
--
2.5
--
V
IDDR
1
Data retention current
-40oC
-55oC
25oC
125oC
--
10
45
mA
tEFR
1
Chip enable to data retention time
--
0
--
ns
tR
1
Operation recovery time
--
tAVAV
--
ns
VDD
DATA RETENTION MODE
tR
4.5V
VDR > 2.5V
Figure 7. Low VDD Data Retention Waveform
tEFR
E
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