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参数资料
| 型号： | 72V275L15PF8 |
| 厂商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分类： | FIFO |
| 英文描述： | 32K X 18 OTHER FIFO, 10 ns, PQFP64 |
| 封装： | PLASTIC, TQFP-64 |
| 文件页数： | 15/25页 |
| 文件大小： | 266K |
| 代理商： | 72V275L15PF8 |
22
COMMERCIAL AND INDUSTRIAL
TEMPERATURERANGES
IDT72V275/72V285 3.3V CMOS SUPERSYNC FIFOTM
32,768 x 18 and 65,536 x 18
NOTES:
1. For IDT Standard mode: D = maximum FIFO depth. D = 32,768 for the IDT72V275 and 65,536 for the IDT72V285.
2. For FWFT mode: D = maximum FIFO depth. D = 32,769 for the IDT72V275 and 65,537 for the IDT72V285.
NOTES:
1. n =
PAE offset.
2. For IDT Standard mode
3. For FWFT mode.
4. tSKEW2 is the minimum time between a rising WCLK edge and a rising RCLK edge to guarantee that
PAE will go HIGH (after one RCLK cycle plus tPAE). If the time between the rising edge of
WCLK and the rising edge of RCLK is less than tSKEW2, then the
PAE deassertion may be delayed one extra RCLK cycle.
5.
PAE is asserted and updated on the rising edge of WCLK only.
Figure 18. Half-Full Flag Timing (IDT Standard and FWFT Modes)
Figure 17. Programmable Almost-Empty Flag Timing (IDT Standard and FWFT Modes)
WCLK
tENS
tENH
WEN
HF
tENS
tHF
RCLK
tHF
REN
4512 drw 21
tCLKL
tCLKH
D/2 words in FIFO(1),
[
+ 1
] words in FIFO(2)
D-1
2
D/2 + 1 words in FIFO
(1),
[
+ 2
] words in FIFO(2)
D-1
2
D/2 words in FIFO(1),
[
+ 1
] words in FIFO(2)
D-1
2
WCLK
t ENH
t CLKH
tCLKL
WEN
PAE
RCLK
t ENS
n words in FIFO (2),
n+1 words in FIFO (3)
tPAE
tSKEW2
tPAE
12
(4)
REN
4512 drw 20
t ENS
t ENH
n+1 words in FIFO (2),
n+2 words in FIFO (3)
n words in FIFO (2),
n+1 words in FIFO (3)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 72V285L10PF8 | 64K X 18 OTHER FIFO, 6.5 ns, PQFP64 |
| 72V285L15TFI9 | 64K X 18 OTHER FIFO, 10 ns, PQFP64 |
| 72V3626L15PFG | 256 X 36 BI-DIRECTIONAL FIFO, 10 ns, PQFP128 |
| 72V3684L15PF | 16K X 36 BI-DIRECTIONAL FIFO, 10 ns, PQFP128 |
| 72V845L15PFI8 | 4K X 18 BI-DIRECTIONAL FIFO, 10 ns, PQFP128 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 72V275L15PFG | 功能描述:先进先出 RoHS:否 制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度:18 bit 总线定向:Unidirectional 存储容量:4 Mbit 定时类型:Synchronous 组织:256 K x 18 最大时钟频率:100 MHz 访问时间:10 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:6 V 最大工作电流:35 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-80 封装: |
| 72V275L15PFG8 | 功能描述:先进先出 RoHS:否 制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度:18 bit 总线定向:Unidirectional 存储容量:4 Mbit 定时类型:Synchronous 组织:256 K x 18 最大时钟频率:100 MHz 访问时间:10 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:6 V 最大工作电流:35 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-80 封装: |
| 72V275L15PFGI | 功能描述:先进先出 RoHS:否 制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度:18 bit 总线定向:Unidirectional 存储容量:4 Mbit 定时类型:Synchronous 组织:256 K x 18 最大时钟频率:100 MHz 访问时间:10 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:6 V 最大工作电流:35 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-80 封装: |
| 72V275L15PFGI8 | 功能描述:先进先出 RoHS:否 制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度: 总线定向: 存储容量: 定时类型: 组织: 最大时钟频率: 访问时间: 电源电压-最大: 电源电压-最小: 最大工作电流: 最大工作温度: 封装 / 箱体: 封装: |
| 72V275L15PFI | 功能描述:先进先出 RoHS:否 制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度:18 bit 总线定向:Unidirectional 存储容量:4 Mbit 定时类型:Synchronous 组织:256 K x 18 最大时钟频率:100 MHz 访问时间:10 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:6 V 最大工作电流:35 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-80 封装: |
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