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参数资料
| 型号： | 72V275L15PF8 |
| 厂商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分类： | FIFO |
| 英文描述： | 32K X 18 OTHER FIFO, 10 ns, PQFP64 |
| 封装： | PLASTIC, TQFP-64 |
| 文件页数： | 9/25页 |
| 文件大小： | 266K |
| 代理商： | 72V275L15PF8 |
17
COMMERCIAL AND INDUSTRIAL
TEMPERATURERANGES
IDT72V275/72V285 3.3V CMOS SUPERSYNC FIFOTM
32,768 x 18 and 65,536 x 18
Figure
9.
Write
Timing
(First
Word
Fall
Through
Mode)
NOTES:
1.
tSKEW3
is
the
minimum
time
between
a
rising
WCLK
edge
and
a
rising
RCLK
edge
to
guarantee
that
OR
will
go
LOW
after
two
RCLK
cycles
plus
t
REF
.
If
the
time
between
the
rising
edge
of
WCLK
and
the
rising
edge
of
RCLK
is
less
than
t
SKEW3
,then
OR
assertion
may
be
delayed
one
extra
RCLK
cycle.
2.
tSKEW2
is
the
minimum
time
between
a
rising
WCLK
edge
and
a
rising
RCLK
edge
to
guarantee
that
PAE
will
go
HIGH
after
one
RCLK
cycle
plus
t
PAE
.
If
the
time
between
the
rising
edge
of
WCLK
and
the
rising
edge
of
RCLK
is
less
than
t
SKEW2
,then
the
PAE
deassertion
may
be
delayed
one
extra
RCLK
cycle.
3.
LD
=
HIGH,
OE
=
LOW
4
.
n=
PAE
offset,
m
=
PAF
offset
and
D
=
maximum
FIFO
depth.
5
.
D
=
32,769
for
IDT72V275
and
65,537
for
IDT72V285.
6
.
First
word
latency:
60ns
+
t
REF
+
2*T
RCLK
.
W
1
W
2
W
4
W
[n
+2]
W
[D-m-1]
W
[D-m-2]
W
[D
-1]
W
D
W
[n+3]
W
[n+4]
W
[D-m]
W
[D-m+1]
WCLK
WEN
D
0
-
D
17
RCLK
tDH
tDS
tENS
tSKEW3
(1)
REN
Q
0
-Q
17
PAF
HF
PAE
IR
tDS
tSKEW2
tA
tREF
OR
tPAE
tHF
tPAF
tWFF
W
[D-m+2]
W
1
tENH
4512
drw
12
DATA
IN
OUTPUT
REGISTER
(2)
W
3
1
2
3
1
D-1
]
[
W
D-1
]
[
W
D-1
]
[
W
1
2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 72V285L10PF8 | 64K X 18 OTHER FIFO, 6.5 ns, PQFP64 |
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| 72V3684L15PF | 16K X 36 BI-DIRECTIONAL FIFO, 10 ns, PQFP128 |
| 72V845L15PFI8 | 4K X 18 BI-DIRECTIONAL FIFO, 10 ns, PQFP128 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 72V275L15PFG | 功能描述:先进先出 RoHS:否 制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度:18 bit 总线定向:Unidirectional 存储容量:4 Mbit 定时类型:Synchronous 组织:256 K x 18 最大时钟频率:100 MHz 访问时间:10 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:6 V 最大工作电流:35 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-80 封装: |
| 72V275L15PFG8 | 功能描述:先进先出 RoHS:否 制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度:18 bit 总线定向:Unidirectional 存储容量:4 Mbit 定时类型:Synchronous 组织:256 K x 18 最大时钟频率:100 MHz 访问时间:10 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:6 V 最大工作电流:35 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-80 封装: |
| 72V275L15PFGI | 功能描述:先进先出 RoHS:否 制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度:18 bit 总线定向:Unidirectional 存储容量:4 Mbit 定时类型:Synchronous 组织:256 K x 18 最大时钟频率:100 MHz 访问时间:10 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:6 V 最大工作电流:35 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-80 封装: |
| 72V275L15PFGI8 | 功能描述:先进先出 RoHS:否 制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度: 总线定向: 存储容量: 定时类型: 组织: 最大时钟频率: 访问时间: 电源电压-最大: 电源电压-最小: 最大工作电流: 最大工作温度: 封装 / 箱体: 封装: |
| 72V275L15PFI | 功能描述:先进先出 RoHS:否 制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度:18 bit 总线定向:Unidirectional 存储容量:4 Mbit 定时类型:Synchronous 组织:256 K x 18 最大时钟频率:100 MHz 访问时间:10 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:6 V 最大工作电流:35 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-80 封装: |
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