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参数资料
| 型号： | ADSP-21478KSWZ-1A |
| 厂商： | Analog Devices Inc |
| 文件页数： | 60/72页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DSP SHARC 200MHZ LP 100LQFP |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | SHARC® |
| 类型： | 浮点 |
| 接口： | DAI，DPI，EBI/EMI，I²C，SPI，SPORT，UART/USART |
| 时钟速率： | 200MHz |
| 非易失内存： | ROM（4Mb） |
| 芯片上RAM： | 3Mb |
| 电压 - 输入/输出： | 3.30V |
| 电压 - 核心： | 1.20V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 100-LQFP 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 100-LQFP-EP（14x14） |
| 包装： | 托盘 |
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Rev. A
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September 2011
Thermal Diode
The processors incorporate thermal diode/s to monitor the die
temperature. The thermal diode is a grounded collector, PNP
bipolar junction transistor (BJT). The THD_P pin is connected
to the emitter and the THD_M pin is connected to the base of
the transistor. These pins can be used by an external tempera-
ture sensor (such as ADM 1021A or LM86 or others) to read the
die temperature of the chip.
The technique used by the external temperature sensor is to
measure the change in VBE when the thermal diode is operated
at two different currents. This is shown in the following
equation:
where:
n = multiplication factor close to 1, depending on process
variations
k = Boltzmann constant
T = temperature (°C)
q = charge of the electron
N = ratio of the two currents
The two currents are usually in the range of 10 μA to 300 μA for
the common temperature sensor chips available.
Table 58 contains the thermal diode specifications using the
transistor model.
ΔV
BE
n
kT
q
------
In(N)
×
=
Table 58. Thermal Diode Parameters—Transistor Model1
Symbol
Parameter
Min
Typ
Max
Unit
IFW
2
Forward Bias Current
10
300
μA
IE
Emitter Current
10
300
μA
nQ
3, 4
Transistor Ideality
1.012
1.015
1.017
RT
3, 5
Series Resistance
0.12
0.2
0.28
Ω
1 Analog Devices does not recommend operation of the thermal diode under reverse bias.
2 Analog Devices does not recommend operation of the thermal diode under reverse bias.
3 Specified by design characterization.
4 The ideality factor, nQ, represents the deviation from ideal diode behavior as exemplified by the diode equation: IC = IS × (e qVBE/nqkT –1) where IS = saturation current,
q = electronic charge, VBE = voltage across the diode, k = Boltzmann constant, and T = absolute temperature (Kelvin).
5 The series resistance (RT) can be used for more accurate readings as needed.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ACM30DTMH | CONN EDGECARD 60POS R/A .156 SLD |
| VI-J6K-IZ | CONVERTER MOD DC/DC 40V 25W |
| ACM30DTMD | CONN EDGECARD 60POS R/A .156 SLD |
| TAJC335M050RNJ | CAP TANT 3.3UF 50V 20% 2312 |
| RW2-1209D/H2/SMD | CONV DC/DC 2W 9-18VIN +/-09VOUT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ADSP-21478KSWZ-2A | 功能描述:IC DSP SHARC 266MHZ LP 100LQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 嵌入式 - DSP（数字式信号处理器） 系列:SHARC® 标准包装:2 系列:StarCore 类型:SC140 内核 接口:DSI，以太网，RS-232 时钟速率:400MHz 非易失内存:外部 芯片上RAM:1.436MB 电压 - 输入/输出:3.30V 电压 - 核心:1.20V 工作温度:-40°C ~ 105°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:431-BFBGA，FCBGA 供应商设备封装:431-FCPBGA（20x20） 包装:托盘 |
| ADSP-21478KSWZ-ENG | 制造商:Analog Devices 功能描述:SHARC PROCESSOR - Trays |
| ADSP-21479 | 制造商:AD 制造商全称:Analog Devices 功能描述:SHARC Processor |
| ADSP-21479BBCZ-2A | 功能描述:IC DSP SHARC 266MHZ LP 196CSPBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 嵌入式 - DSP（数字式信号处理器） 系列:SHARC® 标准包装:2 系列:StarCore 类型:SC140 内核 接口:DSI，以太网，RS-232 时钟速率:400MHz 非易失内存:外部 芯片上RAM:1.436MB 电压 - 输入/输出:3.30V 电压 - 核心:1.20V 工作温度:-40°C ~ 105°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:431-BFBGA，FCBGA 供应商设备封装:431-FCPBGA（20x20） 包装:托盘 |
| ADSP-21479BBCZ-2AX | 制造商:Analog Devices 功能描述:- Trays |
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