参数资料
型号: AGR09090EF
厂商: LSI CORP
元件分类: 功率晶体管
英文描述: UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封装: FM-2
文件页数: 12/15页
文件大小: 661K
代理商: AGR09090EF
6
Agere Systems Inc.
90 W, 865 MHz—960 MHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
April 2004
AGR09090EF
Preliminary Data Sheet
Typical Performance Characteristics
Figure 4. Series Equivalent Input and Output Impedances
, 921 MHz—960 MHz
MHz (f)
ZS
(Complex Source Impedance)
ZL
(Complex Optimum Load Impedance)
921 (f1)
0.731 – j1.676
1.478 + j0.538
940.5
0.869 – j1.611
1.393 + j0.657
960 (f3)
0.912 – j1.569
1.300 + j0.761
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
3.0
4.0
5.0
10
20
50
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
-20
-30
-40
-50
-60
-70
-80
-90
-100
-110
-120
-130
-140
-150
-160
170
-170
180±
90
-90
-85
-80
-75
-70
-65
-60
-55
-50
-45
-40
-35
-30
-25
-20
-15
-10
0.04
0.05
0.06
0.07
0.08
0.09
0.1
0.11
0.12
0.13
0.14
0.15
0.16
0.17
0.18
0.19
0.2
0.21
0.22
0.23
0.24
0.25
0.26
0.27
0.28
0.29
0.3
0.31
0.32
0.33
0.34
0.35
0.36
0.37
0.38
0.39
0.4
0.41
0.42
0.43
0.44
0.45
0.46
0.47
0.48
0.49
0.0
A
N
G
L
E
O
F
T
R
A
N
S
M
IS
S
IO
N
C
O
E
F
IC
IE
N
T
IN
D
E
G
R
E
S
A
N
G
L
E
O
F
R
E
F
L
E
C
T
IO
N
C
O
E
F
IC
IE
N
T
IN
D
E
G
R
E
S
>
W
A
V
E
L
E
N
G
T
H
S
T
O
W
A
R
D
<
W
A
V
E
L
E
N
G
T
H
S
T
O
W
A
R
D
L
O
A
D
<
IN
D
U
C
T
CA
PA
CIT
IV
ER
EA
CT
AN
CE
CO
M
PO
N
EN
T
(-j
X/
Zo
),
O
R
IN
D
U
C
T
IV
E
SU
SC
E
P
T
A
N
C
E
(-
jB
/
Y
o
)
RESISTANCE COMPONENT (R/Zo), OR CONDUCTANCE COMPONENT (G/Yo)
F
ZL
f1
f3
ZS
f3
f1
Z0 = 4
DUT
ZS
ZL
INPUT MATCH
OUTPUT MATCH
DRAIN (1)
SOURCE (3)
GATE (2)
相关PDF资料
PDF描述
AGR19030EU L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
AGR19045EF L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
AGR19045EF L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
AGR19045EU L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
AGR19060EF L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
相关代理商/技术参数
参数描述
AGR09130E 制造商:TRIQUINT 制造商全称:TriQuint Semiconductor 功能描述:130 W, 921 MHz-960 MHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
AGR09130EF 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
AGR09130EU 制造商:TRIQUINT 制造商全称:TriQuint Semiconductor 功能描述:130 W, 921 MHz-960 MHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
AGR09180EF 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
AGR1000 功能描述:可复位保险丝 10/9.6A 16V 100A RoHS:否 制造商:Bourns 电流额定值: 电阻:7.5 Ohms 最大直流电压: 保持电流:0.1 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 跳闸电流:0.6 A 引线间隔: 系列:MF-PSHT 工作温度范围:- 40 C to + 125 C