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参数资料
| 型号： | AGR18030EF |
| 厂商： | TRIQUINT SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 397K |
| 代理商： | AGR18030EF |
30 W, 1.805 GHz—1.880 GHz, LDMOS RF Power Transistor
AGR18030EF
Typical Performance Characteristics
Figure 3. Series Equivalent Input and Output Impedances
GHz (f)
ZS
(
Complex Source Impedance)
ZL
(Complex Optimum Load Impedance)
1.805 (f1)
1.67 – j6.77
5.57 – j8.18
1.843 (f2)
1.64 – j6.41
5.19 – j7.83
1.880 (f3)
1.58 – j6.15
4.86 – j7.58
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
3.0
4.0
5.0
10
20
50
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
-20
-30
-40
-50
-60
-70
-80
-90
-100
-110
-120
-130
-140
-150
-160
170
-170
180
±
90
-90
-8
5
-80
-75
-70
-65
-60
-55
-50
-45
-40
-35
-30
-25
-20
-15
-10
0.0
4
0.05
0.0
6
0.0
7
0.08
0.09
0.1
0.11
0.12
0.13
0.14
0.15
0.16
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0.1
8
0.1
9
0.2
1
0.22
0.23
0.24
0.25
0.26
0.27
0.2
8
0.2
9
0.3
1
0.32
0.33
0.34
0.35
0.36
0.37
0.38
0.39
0.4
0.41
0.42
0.4
3
0.4
4
0.45
0.4
6
0.47
0.48
0.49
0.0
A
N
G
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SC
EP
TA
N
CE
(-j
B/
Yo
)
RESISTANCE COMPONENT (R/Zo), OR CONDUCTANCE COMPONENT (G/Yo)
ZS
f3
f1
ZL
f3
f1
Z0 = 4
DUT
ZS
ZL
INPUT MATCH
OUTPUT MATCH
DRAIN (1)
SOURCE (3)
GATE (2)
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| AGR18060EU | 制造商:TRIQUINT 制造商全称:TriQuint Semiconductor 功能描述:60 W, 1805 MHz-1880 MHz, LDMOS RF Power Transistor |
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