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参数资料
| 型号： | AGR19180EU |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 2 CHANNEL, L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封装： | SURFACE MOUNT PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 230K |
| 代理商： | AGR19180EU |
6
Agere Systems Inc.
180 W, 1930 MHz—1990 MHz, PCS LDMOS RF Power Transistor
July 2003
AGR19180E
Preliminary Data Sheet
Typical Performance Characteristics (continued)
Figure 6. Intermodulation Distortion versus Output Power
Figure 7. Pulsed CW Output Power versus Input Power
-90
-80
-70
-60
-50
-40
-30
-20
-10
1
10
100
1000
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
IM
D
,
IN
T
E
R
M
O
DUL
AT
IO
N
DI
ST
O
R
T
ION
(
d
B
c)
Vdd = 28V Idq = 1600mA
Center Frequency = 1960 MHz
Two-Tone Measurement, 100kHz Tone Spacing
3rd Order
5th Order
7th Order
40
41
42
43
44
45
46
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49
50
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58
59
60
25
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28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
Pin, INPUT POWER (dBm)
P
o
ut
,O
U
T
P
U
T
P
O
W
E
R
(
d
B
m
)
Vdd = 28 Vdc, Idq = 1600 mA
Pulsed CW 4 msec (on), 40 msec (off)
Center Frequency = 1960 MHz
P1dB = 53 dBm (199.77W)
P3dB = 53.88 dBm (244.34W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AGR19180EU | 2 CHANNEL, L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| AGR21045EF | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| AGR21125EU | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| AGR21125EF | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| AGR26125EU | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AGR19K180EF | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| AGR21030EF | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| AGR21045EF | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| AGR21060E | 制造商:TRIQUINT 制造商全称:TriQuint Semiconductor 功能描述:60 W, 2.110 GHz-2.170 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET |
| AGR21060EF | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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