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参数资料
| 型号： | AGR19180EU |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 2 CHANNEL, L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封装： | SURFACE MOUNT PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 8/9页 |
| 文件大小： | 230K |
| 代理商： | AGR19180EU |
8
Agere Systems Inc.
180 W, 1930 MHz—1990 MHz, PCS LDMOS RF Power Transistor
July 2003
AGR19180E
Preliminary Data Sheet
Package Dimensions
All dimensions are in inches. Tolerances are ±0.005 in. unless specified.
AGR19180EU
AGR19180EF
PINS:
1A. DRAIN
1B. DRAIN
2A. GATE
2B. GATE
3. SOURCE
PINS:
1A. DRAIN
1B. DRAIN
2A. GATE
2B. GATE
3. SOURCE
1A
1B
2A
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3
1A
1B
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AGR19180EU | 2 CHANNEL, L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| AGR21045EF | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| AGR21125EU | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| AGR21125EF | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| AGR26125EU | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AGR19K180EF | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| AGR21030EF | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| AGR21045EF | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| AGR21060E | 制造商:TRIQUINT 制造商全称:TriQuint Semiconductor 功能描述:60 W, 2.110 GHz-2.170 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET |
| AGR21060EF | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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