型号: | AGR21125EU |
厂商: | TRIQUINT SEMICONDUCTOR INC |
元件分类: | 功率晶体管 |
英文描述: | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
文件页数: | 2/9页 |
文件大小: | 340K |
代理商: | AGR21125EU |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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AGR21125EF | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
AGR26125EU | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
AGR26125EU | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
AGR26125EF | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
AGR26125EF | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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AGR21180EF | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
AGR21N090EF | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
AGR26045EF | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
AGR26125E | 制造商:TRIQUINT 制造商全称:TriQuint Semiconductor 功能描述:125 W, 2.5 GHz-2.7 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET |
AGR26125EF | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |