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参数资料
| 型号： | AGR21125EU |
| 厂商： | TRIQUINT SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 340K |
| 代理商： | AGR21125EU |
AGR21125E
125 W, 2.110 GHz—2.170 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
Typical Performance Characteristics (continued)
Figure 4. Two-Tone Power Gain vs. Output Power and IDQ
Figure 5. IMD3 vs. Output Power and IDQ
11.00
11.50
12.00
12.50
13.00
13.50
14.00
14.50
15.00
1
10
100
1000
OUTPUT POWER (W) PEP
POWER
GAIN
(dB)
S
VDD = 28 Vdc
f1 = 2135 MHz
f2 = 2145 MHz
TWO-TONE
MEASUREMENT
IDQ = 800 mA
IDQ = 1000 mA
IDQ = 1200 mA
IDQ = 1400 mA
IDQ = 1600 mA
10 MHz TONE
SPACING
-70.00
-65.00
-60.00
-55.00
-50.00
-45.00
-40.00
-35.00
-30.00
-25.00
-20.00
1
10
100
1000
OUTPUT POWER (W) PEP
IMD3,
THIRD
ORDER
(dBc)
s
VDD = 28 Vdc
f1 = 2135 MHz
f2 = 2145 MHz
TWO-TONE
MEASUREMENT
10 MHz TONE
SPACING
IDQ = 800 mA
IDQ = 1000 mA
IDQ = 1600 mA
IDQ = 1400 mA
IDQ = 1200 mA
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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| AGR21180EF | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| AGR21N090EF | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| AGR26045EF | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| AGR26125E | 制造商:TRIQUINT 制造商全称:TriQuint Semiconductor 功能描述:125 W, 2.5 GHz-2.7 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET |
| AGR26125EF | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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