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参数资料
| 型号： | AGR21125EU |
| 厂商： | TRIQUINT SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 文件页数： | 8/9页 |
| 文件大小： | 340K |
| 代理商： | AGR21125EU |
125 W, 2.110 GHz—2.170 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
AGR21125E
Typical Performance Characteristics (continued)
Figure 10. AM-AM and AM-PM Characteristics
12
12.5
13
13.5
14
14.5
0
10
20
30
40
50
INPUT POWER PIN (dBm)
PO
W
ER
G
AI
N(
dB
)
-16
-14
-12
-10
-8
-6
-4
-2
0
2
4
PH
AS
E(
DE
GR
EE
S)
AM-AM
(POWER GAIN [dB])
AM-PM
(PHASE [DEGREES])
VDD = 28 Vdc
FO = 2140 MHz
IDQ = 1200 mA
CW INPUT
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AGR21125EF | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| AGR26125EU | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| AGR26125EU | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| AGR26125EF | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| AGR26125EF | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AGR21180EF | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| AGR21N090EF | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| AGR26045EF | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| AGR26125E | 制造商:TRIQUINT 制造商全称:TriQuint Semiconductor 功能描述:125 W, 2.5 GHz-2.7 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET |
| AGR26125EF | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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