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参数资料
| 型号： | AGR21125EU |
| 厂商： | TRIQUINT SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 340K |
| 代理商： | AGR21125EU |
125 W, 2.110 GHz—2.170 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
AGR21125E
Typical Performance Characteristics (continued)
Figure 6. IMD vs. Tone Spacing
Figure 7. Gain, Efficiency, IMD3, and ACPR vs. Output Power
-60
-55
-50
-45
-40
-35
-30
-25
-20
-15
-10
-5
0
0.1
1
10
100
TWO-TONE SPACING (MHz)
IM
D(
dB
c)
IM7
IM5
VDD = 28 V, POUT = 130 W PEP, FO = 2140 MHz
IM3
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
15
20
25
30
35
40
OUTPUT POWER (WATTS-AVERAGE)S
GA
IN
(d
B)
S
-50
-45
-40
-35
-30
-25
-20
-15
-10
-5
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
EF
F
(%
),
IM
D3
(d
Bc
),
AC
PR
(d
Bc
)S
2 CARRIER W-CDMA 3 GPP,
PEAK TO AVG. = 8.5 dB @ 0.01% CCDF,
10 MHz SPACING 3.84 MHz CBW, POUT = 28 W,
VDD = 28 V, IDQ = 1200 mA
DRAIN EFF
GAIN
IMD3
ACPR
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AGR21125EF | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| AGR26125EU | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AGR21180EF | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| AGR21N090EF | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| AGR26045EF | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| AGR26125E | 制造商:TRIQUINT 制造商全称:TriQuint Semiconductor 功能描述:125 W, 2.5 GHz-2.7 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET |
| AGR26125EF | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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