参数资料
| 型号： | AM1808BZWT4 |
| 厂商： | Texas Instruments |
| 文件页数： | 230/264页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC ARM9 MPU 361NFBGA |
| 标准包装： | 90 |
| 系列： | ARM9 |
| 处理器类型： | ARM 微处理器 |
| 速度： | 456MHz |
| 电压： | 1.25 V ~ 1.35 V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 361-LFBGA |
| 供应商设备封装： | 361-NFBGA（16x16） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 296-28241 |
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SPRS653E – FEBRUARY 2010 – REVISED MARCH 2014
5.5
Electrical Characteristics Over Recommended Ranges of Supply Voltage and
Operating Junction Temperature (Unless Otherwise Noted)
PARAMETER
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNIT
DVDD= 3.15V, IOH = -4 mA
2.4
V
High-level output voltage
(dual-voltage LVCMOS IOs at 3.3V)(1)
DVDD= 3.15V, IOH = -100 μA
2.95
V
VOH
High-level output voltage
DVDD= 1.71V, IOH = -2 mA
DVDD-0.45
V
(dual-voltage LVCMOS IOs at 1.8V)(1)
DVDD= 3.15V, IOL = 4mA
0.4
V
Low-level output voltage
(dual-voltage LVCMOS I/Os at 3.3V)
DVDD= 3.15V, IOL = 100 μA
0.2
V
VOL
Low-level output voltage
DVDD= 1.71V, IOL = 2mA
0.45
V
(dual-voltage LVCMOS I/Os at 1.8V)
VI = VSS to DVDD without opposing
±9
μA
internal resistor
Input current(1)
VI = VSS to DVDD with opposing
70
310
μA
(dual-voltage LVCMOS I/Os)
internal pullup resistor (3)
II
(2)
VI = VSS to DVDD with opposing
-75
-270
μA
internal pulldown resistor (3)
VI = VSS to DVDD with opposing
Input current (DDR2/mDDR I/Os)
-77
-286
μA
internal pulldown resistor (3)
High-level output current(1)
IOH
-6
mA
(dual-voltage LVCMOS I/Os)
Low-level output current(1)
IOL
6
mA
(dual-voltage LVCMOS I/Os)
Input capacitance (dual-voltage
3
pF
LVCMOS)
Capacitance
Output capacitance (dual-voltage
3
pF
LVCMOS)
(1)
These IO specifications apply to the dual-voltage IOs only and do not apply to DDR2/mDDR or SATA interfaces. DDR2/mDDR IOs are
1.8V IOs and adhere to the JESD79-2A standard. USB0 I/Os adhere to the USB2.0 standard. USB1 I/Os adhere to the USB1.1
standard. SATA I/Os adhere to the SATA-I and SATA-II standards.
(2)
II applies to input-only pins and bi-directional pins. For input-only pins, II indicates the input leakage current. For bi-directional pins, II
indicates the input leakage current and off-state (Hi-Z) output leakage current.
(3)
Applies only to pins with an internal pullup (IPU) or pulldown (IPD) resistor. The pull-up and pull-down strengths shown represent the
minimum and maximum strength across process variation.
68
Specifications
Copyright 2010–2014, Texas Instruments Incorporated
Product Folder Links: AM1808
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT7133SA25PF8 | IC SRAM 32KBIT 25NS 100TQFP |
| 1-84984-3 | CONN FFC 13POS 1.00MM VERT PCB |
| MPC8541EVTALF | IC MPU POWERQUICC III 783-FCPBGA |
| IDT7134LA20JG8 | IC SRAM 32KBIT 20NS 52PLCC |
| 4-1734839-8 | CONN FPC 48POS .5MM RT ANG SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AM1808BZWTA3 | 功能描述:微处理器 - MPU ARM MicroProc RoHS:否 制造商:Atmel 处理器系列:SAMA5D31 核心:ARM Cortex A5 数据总线宽度:32 bit 最大时钟频率:536 MHz 程序存储器大小:32 KB 数据 RAM 大小:128 KB 接口类型:CAN, Ethernet, LIN, SPI,TWI, UART, USB 工作电源电压:1.8 V to 3.3 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:FBGA-324 |
| AM1808BZWTA4 | 制造商:TI 制造商全称:Texas Instruments 功能描述:AM1808 ARM Microprocessor |
| AM1808BZWTD3 | 制造商:TI 制造商全称:Texas Instruments 功能描述:AM1808 ARM Microprocessor |
| AM1808BZWTD4 | 功能描述:微处理器 - MPU ARM MicroProc RoHS:否 制造商:Atmel 处理器系列:SAMA5D31 核心:ARM Cortex A5 数据总线宽度:32 bit 最大时钟频率:536 MHz 程序存储器大小:32 KB 数据 RAM 大小:128 KB 接口类型:CAN, Ethernet, LIN, SPI,TWI, UART, USB 工作电源电压:1.8 V to 3.3 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:FBGA-324 |
| AM1808BZWTT3 | 制造商:Texas Instruments 功能描述:IC ARM9 CORTEX MPU 361NFBGA 制造商:Texas Instruments 功能描述:AM1808BZWTT3 |
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