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参数资料
| 型号： | AM29DL162CB120ZEN |
| 厂商： | SPANSION LLC |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 1M X 16 FLASH 3V PROM, 120 ns, PDSO56 |
| 封装： | SSOP-56 |
| 文件页数： | 36/55页 |
| 文件大小： | 775K |
| 代理商： | AM29DL162CB120ZEN |
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September 7, 2007 21533C2
Am29DL16xC
39
D A TA
SH EE T
AC CHARACTERISTICS
Erase and Program Operations
Notes:
1. Not 100% tested.
2. See the “Erase And Programming Performance” section for more information.
Parameter
Speed Options
JEDEC
Std
Description
70R,
70
90R,
90
120R,
120
Unit
tAVAV
tWC
Write Cycle Time (Note 1)
Min
70
90
120
ns
tAVWL
tAS
Address Setup Time
Min
0
ns
tASO
Address Setup Time to OE# low during toggle bit polling
Min
15
ns
tWLAX
tAH
Address Hold Time
Min
45
50
ns
tAHT
Address Hold Time From CE# or OE# high
during toggle bit polling
Min
0
ns
t
DVWH
t
DS
Data Setup Time
Min
354550
ns
t
WHDX
t
DH
Data Hold Time
Min
0
ns
t
OEPH
Output Enable High during toggle bit polling
Min
20
ns
tGHWL
Read Recovery Time Before Write
(OE# High to WE# Low)
Min
0
ns
tELWL
tCS
CE# Setup Time
Min
0
ns
tWHEH
tCH
CE# Hold Time
Min
0
ns
tWLWH
tWP
Write Pulse Width
Min
30
35
50
ns
tWHDL
tWPH
Write Pulse Width High
Min
30
ns
tSR/W
Latency Between Read and Write Operations
Min
0
ns
tWHWH1
Programming Operation (Note 2)
Byte
Typ
9
s
Word
Typ
11
t
WHWH1
t
WHWH1
Accelerated Programming Operation,
Word or Byte (Note 2)
Typ
7
s
t
WHWH2
t
WHWH2
Sector Erase Operation (Note 2)
Typ
0.7
sec
t
VCS
V
CC Setup Time (Note 1)
Min
50
s
t
RB
Write Recovery Time from RY/BY#
Min
0
ns
t
BUSY
Program/Erase Valid to RY/BY# Delay
Min
90
ns
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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