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参数资料
| 型号： | AM29PDL127H85VKI |
| 厂商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | 128 Megabit (8 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Page Mode Simultaneous Read/Write Flash Memory with Enhanced VersatileIO Control |
| 中文描述： | 128兆位（8米× 16位），3.0伏的CMOS只，页面模式同步读/写闪存与增强VersatileIO控制记忆 |
| 文件页数： | 54/68页 |
| 文件大小： | 750K |
| 代理商： | AM29PDL127H85VKI |
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Am29PDL127H
June 30, 2003
ADV ANCE
I N FO RMAT I O N
AC CHARACTERISTICS
OE#
CE#
WE#
Addresses
tOEH
tDH
tAHT
tASO
tOEPH
tOE
Valid Data
(first read)
(second read)
(stops toggling)
tCEPH
tAHT
tAS
DQ6/DQ2
Valid Data
Valid
Status
Valid
Status
Valid
Status
RY/BY#
Note:
1. VA = Valid address; not required for DQ6. Illustration shows first two status cycle after command sequence, last status read
cycle, and array data read cycle.
Figure 20.
Toggle Bit Timings (During Embedded Algorithms)
Note:
1. DQ2 toggles only when read at an address within an erase-suspended sector. The system may use OE# or CE# to toggle
DQ2 and DQ6.
Figure 21.
DQ2 vs. DQ6
Enter
Erase
Enter Erase
Suspend Program
Erase Suspend
Read
Erase Suspend
Read
Erase
WE#
DQ6
DQ2
Erase
Complete
Erase
Suspend
Program
Resume
Embedded
Erasing
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AM29PDL127H85VKIN | 128 Megabit (8 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Page Mode Simultaneous Read/Write Flash Memory with Enhanced VersatileIO Control |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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