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参数资料
| 型号： | Am29PDL127H88 |
| 厂商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | 128 Megabit (8 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Page Mode Simultaneous Read/Write Flash Memory with Enhanced VersatileIO Control |
| 中文描述： | 128兆位（8米× 16位），3.0伏的CMOS只，页面模式同步读/写闪存与增强VersatileIO控制记忆 |
| 文件页数： | 28/68页 |
| 文件大小： | 750K |
| 代理商： | AM29PDL127H88 |
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32
Am29PDL127H
June 30, 2003
ADV ANCE
I N FO RMAT I O N
Table 11.
Device Geometry Definition
Addresses
Data
Description
27h
0018h
Device Size = 2
N byte
28h
29h
0001h
0000h
Flash Device Interface description (refer to CFI publication 100)
2Ah
2Bh
0000h
Max. number of byte in multi-byte write = 2
N
(00h = not supported)
2Ch
0003h
Number of Erase Block Regions within device
2Dh
2Eh
2Fh
30h
0007h
0000h
0020h
0000h
Erase Block Region 1 Information
(refer to the CFI specification or CFI publication 100)
31h
32h
33h
34h
00FDh
0000h
0001h
Erase Block Region 2 Information
(refer to the CFI specification or CFI publication 100)
35h
36h
37h
38h
0007h
0000h
0020h
0000h
Erase Block Region 3 Information
(refer to the CFI specification or CFI publication 100)
39h
3Ah
3Bh
3Ch
0000h
Erase Block Region 4 Information
(refer to the CFI specification or CFI publication 100)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AM29PDL127H83VKI | 128 Megabit (8 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Page Mode Simultaneous Read/Write Flash Memory with Enhanced VersatileIO Control |
| AM29SL800CB-100ED | 512K X 16 FLASH 1.8V PROM, 100 ns, PDSO48 |
| AM29SL800CT150FC | 1M X 8 FLASH 1.8V PROM, 150 ns, PDSO48 |
| AM42BDS640AGBC8IS | Stacked Multi-Chip Package (MCP) Flash Memory and SRAM |
| AM42BDS640AGBC8IT | Stacked Multi-Chip Package (MCP) Flash Memory and SRAM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AM29PDL128G70RPEI | 制造商:Spansion 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 128MBIT 8MX16/4M X 32 70NS 80FBGA - Trays |
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| AM29PL141BXA | 制造商:AMD 功能描述:* |
| AM29PL141DC | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述:USER PROGRAMMABLE SPECIAL FUNCTION ASIC, 28 Pin, DIP |
| AM29PL160CB-90SF | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述: |
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