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参数资料
| 型号： | Am29PDL127H88 |
| 厂商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | 128 Megabit (8 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Page Mode Simultaneous Read/Write Flash Memory with Enhanced VersatileIO Control |
| 中文描述： | 128兆位（8米× 16位），3.0伏的CMOS只，页面模式同步读/写闪存与增强VersatileIO控制记忆 |
| 文件页数： | 47/68页 |
| 文件大小： | 750K |
| 代理商： | AM29PDL127H88 |
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June 30, 2003
Am29PDL127H
49
ADV ANCE
I N FO RMAT I O N
AC CHARACTERISTIC
Read-Only Operations
Notes:
1.
Not 100% tested.
2.
3.
Measurements performed by placing a 50 ohm termination on the
data pin with a bias of VCC/2. The time from OE# high to the data
bus driven to V
CC/2 is taken as tDF.
Parameter
Description
Test Setup
Speed Options
JEDEC
Std.
53
63
68
83, 88
Unit
t
AVAV
t
RC
Read Cycle Time (Note 1)
Min
55
65
85
ns
t
AVQV
t
ACC
Address to Output Delay
CE#, OE# = V
IL
Max
556585
ns
t
ELQV
t
CE
Chip Enable to Output Delay
OE# = V
IL
Max
556585
ns
t
PACC
Page Access Time
Max
20
253030ns
t
GLQV
t
OE
Output Enable to Output Delay
Max
20
25
30
ns
t
EHQZ
t
DF
Chip Enable to Output High Z (Note 3)
Max
16
ns
t
GHQZ
t
DF
Output Enable to Output High Z (Notes 1, 3)
Max
16
ns
t
AXQX
t
OH
Output Hold Time From Addresses, CE# or
OE#, Whichever Occurs First (Notes 3)
Min
5
ns
t
OEH
Output Enable Hold Time
Read
Min
0
ns
Toggle and
Data# Polling
Min
10
ns
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AM29PDL127H83VKI | 128 Megabit (8 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Page Mode Simultaneous Read/Write Flash Memory with Enhanced VersatileIO Control |
| AM29SL800CB-100ED | 512K X 16 FLASH 1.8V PROM, 100 ns, PDSO48 |
| AM29SL800CT150FC | 1M X 8 FLASH 1.8V PROM, 150 ns, PDSO48 |
| AM42BDS640AGBC8IS | Stacked Multi-Chip Package (MCP) Flash Memory and SRAM |
| AM42BDS640AGBC8IT | Stacked Multi-Chip Package (MCP) Flash Memory and SRAM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| AM29PL141BXA | 制造商:AMD 功能描述:* |
| AM29PL141DC | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述:USER PROGRAMMABLE SPECIAL FUNCTION ASIC, 28 Pin, DIP |
| AM29PL160CB-90SF | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述: |
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