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参数资料
| 型号： | Am29PDL127H88 |
| 厂商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | 128 Megabit (8 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Page Mode Simultaneous Read/Write Flash Memory with Enhanced VersatileIO Control |
| 中文描述： | 128兆位（8米× 16位），3.0伏的CMOS只，页面模式同步读/写闪存与增强VersatileIO控制记忆 |
| 文件页数： | 46/68页 |
| 文件大小： | 750K |
| 代理商： | AM29PDL127H88 |
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48
Am29PDL127H
June 30, 2003
ADV ANCE
I N FO RMAT I O N
TEST CONDITIONS
Table 16.
Test Specifications
KEY TO SWITCHING WAVEFORMS
2.7 k
CL
6.2 k
3.3 V
Device
Under
Test
Note: Diodes are IN3064 or equivalent
Figure 10.
Test Setup
Test Condition
All Speeds
Unit
Output Load
1 TTL gate
Output Load Capacitance, C
L
(including jig capacitance)
70
pF
Input Rise and Fall Times
5
ns
Input Pulse Levels
0.0–3.0
V
Input timing measurement
reference levels
1.5
V
Output timing measurement
reference levels
1.5
V
WAVEFORM
INPUTS
OUTPUTS
Steady
Changing from H to L
Changing from L to H
Don’t Care, Any Change Permitted
Changing, State Unknown
Does Not Apply
Center Line is High Impedance State (High Z)
3.0 V
0.0 V
1.5 V
Output
Measurement Level
Input
Figure 11.
Input Waveforms and Measurement Levels
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AM29PDL127H83VKI | 128 Megabit (8 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Page Mode Simultaneous Read/Write Flash Memory with Enhanced VersatileIO Control |
| AM29SL800CB-100ED | 512K X 16 FLASH 1.8V PROM, 100 ns, PDSO48 |
| AM29SL800CT150FC | 1M X 8 FLASH 1.8V PROM, 150 ns, PDSO48 |
| AM42BDS640AGBC8IS | Stacked Multi-Chip Package (MCP) Flash Memory and SRAM |
| AM42BDS640AGBC8IT | Stacked Multi-Chip Package (MCP) Flash Memory and SRAM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AM29PDL128G70RPEI | 制造商:Spansion 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 128MBIT 8MX16/4M X 32 70NS 80FBGA - Trays |
| AM29PDL128G80PEF | 制造商:Spansion 功能描述:SPZAM29PDL128G80PEF 128M FLASH EOL100409 |
| AM29PL141BXA | 制造商:AMD 功能描述:* |
| AM29PL141DC | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述:USER PROGRAMMABLE SPECIAL FUNCTION ASIC, 28 Pin, DIP |
| AM29PL160CB-90SF | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述: |
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