参数资料
型号: AO3460
厂商: Alpha & Omega Semiconductor Inc
文件页数: 1/4页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 60V .65A SOT23-3
产品目录绘图: SOT-23-3
标准包装: 1
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 650mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 1.7 欧姆 @ 650mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 250µA
输入电容 (Ciss) @ Vds: 27pF @ 30V
功率 - 最大: 1.4W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装: SOT-23-3
包装: 标准包装
其它名称: 785-1194-6
AO3460
60V N-Channel MOSFET
General Description
The AO3460 uses advanced trench technology to
provide excellent R DS(ON) , low gate charge, and
operation with gate voltages as low as 4.5V, in the
small SOT-23 footprint. It can be used for a wide
variety of applications, including load switching, low
current inverters and low current DC-DC converters.
It is ESD protected.
SOT23
Product Summary
V DS (V) = 60V
I D = 0.65A (V GS = 10V)
R DS(ON) < 1.7 ? (V GS = 10V)
R DS(ON) < 2 ? (V GS = 4.5V)
ESD protected
D
Top View
G
S
Bottom View
D
S
G
G
D
S
Absolute Maximum Ratings T A =25°C unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain
T A =25°C
Symbol
V DS
V GS
Maximum
60
±20
0.65
Units
V
V
Current A, F
Pulsed Drain Current
Power Dissipation A
T A =70°C
B
T A =25°C
T A =70°C
I D
I DM
P D
0.5
1.6
1.4
0.9
A
W
Junction and Storage Temperature Range T J , T STG
Thermal Characteristics
-55 to 150
°C
Parameter
Symbol
Typ
Max
Units
Maximum Junction-to-Ambient A
Maximum Junction-to-Ambient A
Maximum Junction-to-Lead C
t ≤ 10s
Steady-State
Steady-State
R θ JA
R θ JL
70
100
63
90
125
80
°C/W
°C/W
°C/W
Rev.3.0: July 2013
www.aosmd.com
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