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参数资料
| 型号： | AO3460 |
| 厂商： | Alpha & Omega Semiconductor Inc |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V .65A SOT23-3 |
| 产品目录绘图： | SOT-23-3 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 650mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.7 欧姆 @ 650mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 27pF @ 30V |
| 功率 - 最大： | 1.4W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 785-1194-6 |
AO3460
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
2
1
1.5
4.5V
6V
10V
0.8
V DS =5V
V DS =0V, V GS =±10V
0.6
1
4V
V DS =V GS I D =250 μ A
0.4
25 ° C
0.5
3.5V
V GS =3.0V
0.2
125 ° C
-40 ° C
0
0
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
4
5
3
V DS (Volts)
Figure 1: On-Region Characteristics
2.2
V GS (Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
V GS =10V
2.5
1.8
I D =0.65A
V GS =4.5V
2
1.5
1
V GS =4.5V
V GS =10V
1.4
1.0
0.6
I D =0.5A
0
0.5
1
1.5
-50
0
50
100
150
200
4
I D (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
I D =0.65A
1.0E+00
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature
3.5
3
2.5
2
125 ° C
1.0E-01
1.0E-02
1.0E-03
25 ° C
125 ° C
-40 ° C
1.5
1
25 ° C
1.0E-04
2
4
6
V GS (Volts)
8
10
1.0E-05
0.0
0.4
0.8
1.2
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
V SD (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
Rev.3.0: July 2013
www.aosmd.com
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PDF描述 |
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参数描述 |
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