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参数资料
| 型号： | AO4404B |
| 厂商： | ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 8500 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封装： | GREEN, SOIC-8 |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 510K |
| 代理商： | AO4404B |
AO4404B
30V N-Channel MOSFET
General Description
Product Summary
VDS
ID (at VGS=10V)
8.5A
RDS(ON) (at VGS=10V)
< 24m
RDS(ON) (at VGS = 4.5V)
< 30m
RDS(ON) (at VGS = 2.5V)
< 48m
100% UIS Tested
100% Rg Tested
Symbol
VDS
The AO4404B uses advanced trench technology to
provide excellent RDS(ON), low gate charge and
operation with gate voltages as low as 2.5V. This device
makes an excellent high side switch for notebook CPU
core DC-DC conversion.
V
Maximum
Units
Parameter
Absolute Maximum Ratings TA=25°C unless otherwise noted
30V
Drain-Source Voltage
30
G
D
S
SOIC-8
Top View
Bottom View
D
S
G
VDS
VGS
IDM
IAS, IAR
EAS, EAR
TJ, TSTG
Symbol
t ≤ 10s
Steady-State
RθJL
Maximum Junction-to-Lead
°C/W
Maximum Junction-to-Ambient
A D
16
75
24
TA=25°C
TA=70°C
Power Dissipation
B
PD
Avalanche energy L=0.1mH
C
Pulsed Drain Current
C
Continuous Drain
Current
TA=25°C
mJ
Avalanche Current
C
10
A
14
A
ID
8.5
7.1
60
V
±12
Gate-Source Voltage
Drain-Source Voltage
30
Units
Parameter
Typ
Max
°C/W
RθJA
31
59
40
Maximum Junction-to-Ambient
A
2
TA=70°C
Junction and Storage Temperature Range
-55 to 150
°C
Thermal Characteristics
W
3.1
G
D
S
SOIC-8
Top View
Bottom View
D
S
G
Rev 2: July 2010
www.aosmd.com
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AO4406AL | 13000 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| AO4420 | 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| AO4433 | 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| AO4600L | 30 V, 0.027 ohm, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| AO4600 | 30 V, 0.027 ohm, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AO4404B_11 | 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:30V N-Channel MOSFET |
| AO4404BL | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8.5A（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:24 毫欧 @ 8.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:12nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1100pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 |
| AO4404BL_101 | 功能描述:MOSFET N-CH 8-SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:停產 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8.5A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.45V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:7nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:630pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:24 毫欧 @ 8.5A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:8-SO 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 标准包装:3,000 |
| AO4405 | 制造商:AOS 功能描述:MOSFET |
| AO4405E | 功能描述:MOSFET P-CHANNEL 30V 6A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件状态:在售 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:16nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:495pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:45 毫欧 @ 6A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:8-SOIC 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 标准包装:3,000 |
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