- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录51256 > AO4404B (ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR) 8500 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET PDF资料下载
参数资料
| 型号： | AO4404B |
| 厂商： | ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 8500 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封装： | GREEN, SOIC-8 |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 510K |
| 代理商： | AO4404B |
AO4404B
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
0.001
0.01
0.1
1
10
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Z
θθθθ
J
A
N
o
rm
a
li
z
e
d
T
ra
n
s
ie
n
t
T
h
e
rm
a
l
R
e
s
is
ta
n
c
e
Pulse Width (s)
Figure 12: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance (Note F)
Single Pulse
D=T
on/T
T
J,PK=TA+PDM.Z
θJA.RθJA
T
on
T
P
D
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
RθJA=75°C/W
0.001
0.01
0.1
1
10
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Z
θθθθ
J
A
N
o
rm
a
li
z
e
d
T
ra
n
s
ie
n
t
T
h
e
rm
a
l
R
e
s
is
ta
n
c
e
Pulse Width (s)
Figure 12: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance (Note F)
Single Pulse
D=T
on/T
T
J,PK=TA+PDM.Z
θJA.RθJA
T
on
T
P
D
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
RθJA=75°C/W
Rev 2: July 2010
www.aosmd.com
Page 5 of 6
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AO4406AL | 13000 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| AO4420 | 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| AO4433 | 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| AO4600L | 30 V, 0.027 ohm, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| AO4600 | 30 V, 0.027 ohm, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AO4404B_11 | 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:30V N-Channel MOSFET |
| AO4404BL | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8.5A（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:24 毫欧 @ 8.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:12nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1100pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 |
| AO4404BL_101 | 功能描述:MOSFET N-CH 8-SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:停產 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8.5A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.45V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:7nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:630pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:24 毫欧 @ 8.5A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:8-SO 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 标准包装:3,000 |
| AO4405 | 制造商:AOS 功能描述:MOSFET |
| AO4405E | 功能描述:MOSFET P-CHANNEL 30V 6A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件状态:在售 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:16nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:495pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:45 毫欧 @ 6A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:8-SOIC 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 标准包装:3,000 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。