参数资料
型号: AO4404B
厂商: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: 8500 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封装: GREEN, SOIC-8
文件页数: 6/6页
文件大小: 510K
代理商: AO4404B
AO4404B
-
+
VDC
Ig
Vds
DUT
-
+
VDC
Vgs
10V
Qg
Qgs
Qgd
Charge
Gate Charge Test Circuit & Waveform
-
+
VDC
DUT
Vdd
Vgs
Vds
Vgs
RL
Rg
Vgs
Vds
10%
90%
Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
t
tr
d(on)
t
on
t
d(off)
t f
t
off
Id
+
L
Vgs
Vds
BV
Unclamped Inductive Switching (UIS) Test Circuit & Waveforms
Vds
DSS
2
E
= 1/2 LI
AR
-
+
VDC
Ig
Vds
DUT
-
+
VDC
Vgs
10V
Qg
Qgs
Qgd
Charge
Gate Charge Test Circuit & Waveform
-
+
VDC
DUT
Vdd
Vgs
Vds
Vgs
RL
Rg
Vgs
Vds
10%
90%
Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
t
tr
d(on)
t
on
t
d(off)
t f
t
off
Vdd
Vgs
Id
Vgs
Rg
DUT
-
+
VDC
L
Vgs
Vds
Id
Vgs
BV
I
Unclamped Inductive Switching (UIS) Test Circuit & Waveforms
Ig
Vgs
-
+
VDC
DUT
L
Vds
Vgs
Vds
Isd
Diode Recovery Test Circuit & Waveforms
Vds -
Vds +
I F
AR
DSS
2
E
= 1/2 LI
dI/dt
I RM
rr
Vdd
Q
= - Idt
AR
t
rr
Rev 2: July 2010
www.aosmd.com
Page 6 of 6
相关PDF资料
PDF描述
AO4406AL 13000 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
AO4420 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
AO4433 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
AO4600L 30 V, 0.027 ohm, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
AO4600 30 V, 0.027 ohm, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
相关代理商/技术参数
参数描述
AO4404B_11 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:30V N-Channel MOSFET
AO4404BL 功能描述:MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,2.5V 驱动 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8.5A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):24 毫欧 @ 8.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):12nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1100pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SO 标准包装:1
AO4404BL_101 功能描述:MOSFET N-CH 8-SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:停產 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8.5A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.45V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):7nC @ 4.5V Vgs(最大值):±12V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):630pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):3.1W(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):24 毫欧 @ 8.5A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:8-SO 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 标准包装:3,000
AO4405 制造商:AOS 功能描述:MOSFET
AO4405E 功能描述:MOSFET P-CHANNEL 30V 6A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件状态:在售 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):6A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):16nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):495pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):2.5W(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):45 毫欧 @ 6A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:8-SOIC 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 标准包装:3,000