型号: | AO4404B |
厂商: | ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | 8500 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
封装: | GREEN, SOIC-8 |
文件页数: | 2/6页 |
文件大小: | 510K |
代理商: | AO4404B |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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AO4433 | 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
AO4600L | 30 V, 0.027 ohm, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
AO4600 | 30 V, 0.027 ohm, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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AO4404B_11 | 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:30V N-Channel MOSFET |
AO4404BL | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,2.5V 驱动 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8.5A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):24 毫欧 @ 8.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):12nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1100pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 |
AO4404BL_101 | 功能描述:MOSFET N-CH 8-SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:停產 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8.5A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.45V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):7nC @ 4.5V Vgs(最大值):±12V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):630pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):3.1W(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):24 毫欧 @ 8.5A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:8-SO 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 标准包装:3,000 |
AO4405 | 制造商:AOS 功能描述:MOSFET |
AO4405E | 功能描述:MOSFET P-CHANNEL 30V 6A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件状态:在售 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):6A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):16nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):495pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):2.5W(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):45 毫欧 @ 6A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:8-SOIC 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 标准包装:3,000 |