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参数资料
| 型号： | AO4430L |
| 厂商： | ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 30 V, 0.0055 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SOIC-8 |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 279K |
| 代理商： | AO4430L |
AO4430
Symbol
Min
Typ
Max
Units
BVDSS
30
V
1
TJ=55°C
5
IGSS
100
nA
VGS(th)
1
1.8
2.5
V
ID(ON)
80
A
4.7
5.5
TJ=125°C
6.5
8
6.2
7.5
m
gFS
82
S
VSD
0.7
1
V
IS
4.5
A
Ciss
4660
6060
7270
pF
Coss
425
638
960
pF
Crss
240
355
530
pF
Rg
0.2
0.45
0.9
Qg(10V)
80
103
124
nC
Qg(4.5V)
37
48
58
nC
Qgs
18
nC
Qgd
15
nC
tD(on)
12
16
ns
tr
8
12
ns
tD(off)
51.5
70
ns
tf
8.8
14
ns
trr
33.5
44
ns
Qrr
22
30
nC
THIS PRODUCT HAS BEEN DESIGNED AND QUALIFIED FOR THE CONSUMER MARKET. APPLICATIONS OR USES AS CRITICAL
COMPONENTS IN LIFE SUPPORT DEVICES OR SYSTEMS ARE NOT AUTHORIZED. AOS DOES NOT ASSUME ANY LIABILITY ARISING
OUT OF SUCH APPLICATIONS OR USES OF ITS PRODUCTS. AOS RESERVES THE RIGHT TO IMPROVE PRODUCT DESIGN,
FUNCTIONS AND RELIABILITY WITHOUT NOTICE.
Body Diode Reverse Recovery Time
Body Diode Reverse Recovery Charge IF=18A, dI/dt=100A/s
Drain-Source Breakdown Voltage
On state drain current
ID=250A, VGS=0V
VGS=4.5V, VDS=5V
VGS=10V, ID=18A
Reverse Transfer Capacitance
IF=18A, dI/dt=100A/s
Electrical Characteristics (TJ=25°C unless otherwise noted)
STATIC PARAMETERS
Parameter
Conditions
IDSS
A
Gate Threshold Voltage
VDS=VGS ID=250A
VDS=30V, VGS=0V
VDS=0V, VGS= ±20V
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate-Body leakage current
RDS(ON)
Static Drain-Source On-Resistance
Forward Transconductance
Diode Forward Voltage
Maximum Body-Diode Continuous Current
Input Capacitance
Output Capacitance
DYNAMIC PARAMETERS
m
VGS=4.5V, ID=15A
IS=1A,VGS=0V
VDS=5V, ID=18A
Turn-On Rise Time
Turn-Off DelayTime
VGS=10V, VDS=15V, RL=0.83,
RGEN=3
Turn-Off Fall Time
Turn-On DelayTime
Gate Drain Charge
VGS=0V, VDS=15V, f=1MHz
SWITCHING PARAMETERS
Total Gate Charge
Gate Source Charge
Gate resistance
VGS=0V, VDS=0V, f=1MHz
Total Gate Charge
VGS=10V, VDS=15V, ID=18A
A: The value of R θJA is measured with the device mounted on 1in 2 FR-4 board with 2oz. Copper, in a still air environment with
T A=25°C. The value in any given application depends on the user's specific board design.
B: Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature.
C. The R θJA is the sum of the thermal impedence from junction to lead R θJL and lead to ambient.
D. The static characteristics in Figures 1 to 6 are obtained using <300
s pulses, duty cycle 0.5% max.
E. These tests are performed with the device mounted on 1 in 2 FR-4 board with 2oz. Copper, in a still air environment with T A=25°C. The SOA
curve provides a single pulse rating.
F. The current rating is based on the t≤ 10s junction to ambient thermal resistance rating.
Rev5: Nov 2008
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
www.aosmd.com
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PDF描述 |
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