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参数资料
| 型号： | AO4449 |
| 厂商： | ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 7000 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封装： | GREEN, SOIC-8 |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 555K |
| 代理商： | AO4449 |
AO4449
30V P-Channel MOSFET
General Description
Product Summary
VDS
ID (at VGS=-10V)
-7A
RDS(ON) (at VGS=-10V)
< 34m
RDS(ON) (at VGS = -4.5V)
< 54m
100% UIS Tested
100% Rg Tested
Symbol
The AO4449 uses advanced trench technology to provide
excellent RDS(ON), and ultra-low low gate charge. This
device is suitable for use as a load switch or in PWM
applications.
Maximum
Units
Parameter
Absolute Maximum Ratings TA=25°C unless otherwise noted
-30V
G
D
S
SOIC-8
Top View
Bottom View
D
S
G
Symbol
VDS
VGS
IDM
IAS, IAR
EAS, EAR
TJ, TSTG
Symbol
t ≤ 10s
Steady-State
RθJL
2
TA=70°C
Junction and Storage Temperature Range
-55 to 150
°C
Thermal Characteristics
W
3.1
Units
Parameter
Typ
Max
°C/W
RθJA
31
59
40
Maximum Junction-to-Ambient
A
V
±20
Gate-Source Voltage
Drain-Source Voltage
-30
V
Maximum
Units
Parameter
mJ
Avalanche Current
C
26
A
23
A
ID
-7
-5.5
-40
TA=25°C
TA=70°C
Power Dissipation
B
PD
Avalanche energy L=0.1mH
C
Pulsed Drain Current
C
Continuous Drain
Current
TA=25°C
Maximum Junction-to-Lead
°C/W
Maximum Junction-to-Ambient
A D
16
75
24
G
D
S
SOIC-8
Top View
Bottom View
D
S
G
Rev 2: July 2010
www.aosmd.com
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| AO4450_101 | 功能描述:MOSFET N-CH 40V 7A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7A（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:30 毫欧 @ 7A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:13nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:516pF @ 20V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 |
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