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参数资料
| 型号： | AO4449 |
| 厂商： | ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 7000 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封装： | GREEN, SOIC-8 |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 555K |
| 代理商： | AO4449 |
AO4449
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
17
5
2
10
0
18
0
5
10
15
20
25
30
1
1.5
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3
3.5
4
4.5
5
-I
D
(A
)
-V
GS(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics (Note E)
10
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20
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35
40
45
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R
D
S
(O
N
)
(m
)
-I
D (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate
Voltage (Note E)
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
0
25
50
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100
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N
o
rm
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n
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n
c
e
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature
(Note E)
V
GS=-4.5V
I
D=-5A
V
GS=-10V
I
D=-7A
25°C
125°C
V
DS=-5V
V
GS=-4.5V
V
GS=-10V
0
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-I
D
(A
)
-V
DS (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics (Note E)
V
GS=-3V
-3.5V
-6V
-5V
-10V
-4.5V
-4V
40
0
5
10
15
20
25
30
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
-I
D
(A
)
-V
GS(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics (Note E)
10
15
20
25
30
35
40
45
50
0
5
10
15
20
R
D
S
(O
N
)
(m
)
-I
D (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate
Voltage (Note E)
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
1.0E+00
1.0E+01
1.0E+02
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
-I
S
(A
)
-V
SD (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics (Note E)
25°
125°
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
0
25
50
75
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150
175
N
o
rm
a
li
z
e
d
O
n
-R
e
s
is
ta
n
c
e
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature
(Note E)
V
GS=-4.5V
I
D=-5A
V
GS=-10V
I
D=-7A
0
20
40
60
80
2
4
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R
D
S
(O
N
)
(m
)
-V
GS (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
(Note E)
25°C
125°C
V
DS=-5V
V
GS=-4.5V
V
GS=-10V
I
D=-7A
25°
125°
0
5
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0
1
2
3
4
5
-I
D
(A
)
-V
DS (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics (Note E)
V
GS=-3V
-3.5V
-6V
-5V
-10V
-4.5V
-4V
Rev 2: July 2010
www.aosmd.com
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| AO4450_11 | 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:40V N-Channel MOSFET |
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