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参数资料
| 型号： | AO4456 |
| 厂商： | ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 20000 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封装： | GREEN, SOIC-8 |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 307K |
| 代理商： | AO4456 |
AO4456
30V N-Channel MOSFET
General Description
Product Summary
VDS
ID (at VGS=10V)
20A
RDS(ON) (at VGS=10V)
< 4.6m
RDS(ON) (at VGS = 4.5V)
< 5.6m
100% UIS Tested
100% Rg Tested
Symbol
VDS
VGS
IDM
IAS, IAR
EAS, EAR
TJ, TSTG
Symbol
t ≤ 10s
Steady-State
RθJL
TC=25°C
Max
TC=25°C
2.0
TC=70°C
Junction and Storage Temperature Range
-55 to 150
Thermal Characteristics
Units
Maximum Junction-to-Ambient
A
°C/W
RθJA
31
59
40
Parameter
Typ
±12
Gate-Source Voltage
Drain-Source Voltage
30
A
SRFET
TM AO4456 uses advanced trench technology with
a monolithically integrated Schottky diode to provide
excellent RDS(ON),and low gate charge. This device is
suitable for use as a low side FET in SMPS, load
switching and general purpose applications.
V
Maximum
Units
Parameter
Absolute Maximum Ratings TA=25°C unless otherwise noted
30V
V
mJ
Avalanche Current
C
110
A
47
ID
20
16
Power Dissipation
B
PD
TC=70°C
Avalanche energy L=0.1mH
C
120
Pulsed Drain Current
C
Continuous Drain
Current
G
W
3.1
Maximum Junction-to-Lead
°C/W
Maximum Junction-to-Ambient
A D
16
75
24
°C
SRFET TM
G
D
S
SRFET
TM
Soft Recovery MOSFET:
Integrated Schottky Diode
SOIC-8
Top View
Bottom View
D
S
G
Rev9: March 2011
www.aosmd.com
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PDF描述 |
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