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参数资料
| 型号： | AO4456 |
| 厂商： | ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 20000 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封装： | GREEN, SOIC-8 |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 307K |
| 代理商： | AO4456 |
AO4456
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
0
10
20
30
40
0
5
10
15
20
25
30
IS (A)
Figure 15: Diode Reverse Recovery Charge and Peak
Current vs. Conduction Current
Q
rr
(n
C
)
0
2
4
6
8
10
12
I r
m
(A
)
di/dt=800A/
s
125C
25C
Qrr
Irm
0
5
10
15
20
25
30
35
0
200
400
600
800
1000
di/dt (A/
s)
Figure 17: Diode Reverse Recovery Charge and
Peak Current vs. di/dt
Q
rr
(n
C
)
0
2
4
6
8
10
I r
m
(A
)
125C
25C
Is=20A
Qrr
Irm
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0
5
10
15
20
25
30
IS (A)
Figure 16: Diode Reverse Recovery Time and
Softness Factor vs. Conduction Current
t r
r
(n
s
)
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
S
di/dt=800A/
s
125C
25C
trr
S
0
5
10
15
20
0
200
400
600
800
1000
di/dt (A/
s)
Figure 18: Diode Reverse Recovery Time and
Softness Factor vs. di/dt
t r
r
(n
s
)
0
0.5
1
1.5
2
2.5
S
125C
25C
125
Is=20A
trr
S
1.0E-07
1.0E-06
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
0
50
100
150
200
Temperature (°C)
Figure 13: Diode Reverse Leakage Current vs.
Junction Temperature
I R
(A
)
VDS=12V
VDS=24V
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0
50
100
150
200
Temperature (°C)
Figure 14: Diode Forward voltage vs. Junction
Temperature
V
S
D
(V
)
IS=1A
10A
20A
5A
Rev9: March 2011
www.aosmd.com
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