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参数资料
| 型号： | AO4454 |
| 厂商： | ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 6500 mA, 100 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封装： | GREEN, SOIC-8 |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 276K |
| 代理商： | AO4454 |
AO4454
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
40
0.001
0.01
0.1
1
10
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 12: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance (Note F)
Z
θθθθ
J
A
N
o
rm
a
li
z
e
d
T
ra
n
s
ie
n
t
T
h
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rm
a
l
R
e
s
is
ta
n
c
e
Single Pulse
D=Ton/T
TJ,PK=TA+PDM.ZθJA.RθJA
Ton
T
PD
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
RθJA=75°C/W
0
30
60
90
120
150
0
5
10
15
20
25
30
IS (A)
Figure 13: Diode Reverse Recovery Charge and Peak
Current vs. Conduction Current
Q
rr
(n
C
)
0
5
10
15
20
25
30
I r
m
(A
)
di/dt=800A/
s
125C
25C
Qrr
Irm
0
30
60
90
120
150
0
200
400
600
800
1000
di/dt (A/
s)
Figure 15: Diode Reverse Recovery Charge and
Peak Current vs. di/dt
Q
rr
(n
C
)
0
5
10
15
20
25
30
I r
m
(A
)
125C
25C
Is=20A
Qrr
Irm
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
0
5
10
15
20
25
30
IS (A)
Figure 14: Diode Reverse Recovery Time and
Softness Factor vs. Conduction Current
t r
r
(n
s
)
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
S
di/dt=800A/
s
125C
25C
trr
S
0
3
6
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12
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18
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24
27
30
0
200
400
600
800
1000
di/dt (A/
s)
Figure 16: Diode Reverse Recovery Time and
Softness Factor vs. di/dt
t r
r
(n
s
)
0
0.5
1
1.5
2
2.5
S
125C
25C
125
Is=20A
trr
S
Rev 1: November 2010
www.aosmd.com
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