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参数资料
| 型号： | AO4474 |
| 厂商： | ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 30 V, 0.0115 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | GREEN, SOIC-8 |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 171K |
| 代理商： | AO4474 |
Symbol
VDS
VGS
IDM
IAR
EAR
TJ, TSTG
Symbol
Typ
Max
28
34
57
71
RθJL
16
23
Junction and Storage Temperature Range
°C
-55 to 150
3.7
W
TA=70°C
2.4
Power Dissipation
TA=25°C
PD
Maximum
Units
Parameter
30
°C/W
Absolute Maximum Ratings TA=25°C unless otherwise noted
V
±12
Gate-Source Voltage
Drain-Source Voltage
Maximum Junction-to-Ambient
A
Steady-State
Maximum Junction-to-Lead
C
Steady-State
°C/W
Thermal Characteristics
Parameter
Units
Maximum Junction-to-Ambient
A
t
≤ 10s
RθJA
°C/W
Repetitive avalanche energy 0.1mH
B, G
88
mJ
Pulsed Drain Current
B
60
A
Avalanche Current
B, G
42
A
TA=70°C
10.7
Continuous Drain
Current
A, F
TA=25°C
IDSM
13.4
AO4474
30V N-Channel MOSFET
Product Summary
VDS (V) = 30V
ID = 13.4A
(VGS = 10V)
RDS(ON) < 11.5m (VGS = 10V)
RDS(ON) < 13.5m (VGS = 4.5V)
100% UIS Tested
100% Rg Tested
General Description
The AO4474 uses advanced trench technology to
provide excellent RDS(ON), low gate charge.This device
is suitable for use as a high side switch in SMPS and
general purpose applications.
SOIC-8
Top View
Bottom View
D
S
G
D
S
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
www.aosmd.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AO4718 | 30 V, 0.009 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| AO4476A_103 | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15A（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.7 毫欧 @ 15A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:24nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1380pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 |
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| AO4476AL | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:24nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1380pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.7 毫欧 @ 15A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:8-SOIC 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 标准包装:3,000 |
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