- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录48365 > AO4474 (ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR) 30 V, 0.0115 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET PDF资料下载
参数资料
| 型号： | AO4474 |
| 厂商： | ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 30 V, 0.0115 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | GREEN, SOIC-8 |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 171K |
| 代理商： | AO4474 |
AO4474
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
0
20
40
60
80
100
0
1
2
3
4
5
VDS (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
I D
(A
)
10V
4.5V
VGS=2.5V
6V
0
5
10
15
20
25
30
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
VGS(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
I D
(A
)
5
7
9
11
13
15
0
5
10
15
20
25
30
ID (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
R
D
S
(O
N
)
(m
)
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
1.0E+00
1.0E+01
1.0E+02
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
VSD (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
I S
(A
)
25°C
125°C
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
0
30
60
90
120
150
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature
N
o
rm
a
li
z
e
d
O
n
-R
e
s
is
ta
n
c
e
ID=13.4A
VGS=10V
VGS=4.5
5
10
15
20
2
4
6
8
10
VGS (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
R
D
S
(O
N
)
(m
)
25°C
125°
VDS=5V
VGS=4.5V
VGS=10V
ID=13.4A
25°C
125°C
3V
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
www.aosmd.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AO4718 | 30 V, 0.009 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| AOD4185 | 50 A, 40 V, 0.015 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| AOI4185 | 50 A, 40 V, 0.015 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 |
| AOD472 | 55 A, 25 V, 0.006 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| AOI403 | 70 A, 30 V, 0.0085 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AO4476 | 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4476A | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| AO4476A_103 | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15A（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.7 毫欧 @ 15A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:24nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1380pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 |
| AO4476A_104 | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15A（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.7 毫欧 @ 15A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:24nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1380pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 |
| AO4476AL | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:24nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1380pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.7 毫欧 @ 15A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:8-SOIC 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 标准包装:3,000 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。