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参数资料
| 型号： | AO4474 |
| 厂商： | ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 30 V, 0.0115 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | GREEN, SOIC-8 |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 171K |
| 代理商： | AO4474 |
AO4474
Symbol
Min
Typ
Max
Units
BVDSS
30
V
1
TJ=55°C
5
IGSS
0.1
A
VGS(th)
1
1.55
2.5
V
ID(ON)
60
A
9.5
11.5
TJ=125°C
16.2
18
11
13.5
m
gFS
40
S
VSD
0.74
1.0
V
IS
5
A
Ciss
1210
1452
pF
Coss
330
396
pF
Crss
85
119
pF
Rg
0.8
1.2
1.6
Qg(10V)
22
28
nC
Qg(4.5V)
10
13
nC
Qgs
3.7
nC
Qgd
2.7
nC
tD(on)
10
ns
tr
6.3
ns
tD(off)
21
ns
tf
2.8
ns
trr
36
45
ns
Qrr
47
nC
trr
20
27
ns
Qrr
55
nC
THIS PRODUCT HAS BEEN DESIGNED AND QUALIFIED FOR THE CONSUMER MARKET. APPLICATIONS OR USES AS CRITICAL
COMPONENTS IN LIFE SUPPORT DEVICES OR SYSTEMS ARE NOT AUTHORIZED. AOS DOES NOT ASSUME ANY LIABILITY ARISING
OUT OF SUCH APPLICATIONS OR USES OF ITS PRODUCTS. AOS RESERVES THE RIGHT TO IMPROVE PRODUCT DESIGN,
FUNCTIONS AND RELIABILITY WITHOUT NOTICE.
Body Diode Reverse Recovery Time
IF=13.4A, dI/dt=100A/s
Body Diode Reverse Recovery Charge IF=13.4A, dI/dt=100A/s
Gate Drain Charge
VGS=0V, VDS=15V, f=1MHz
SWITCHING PARAMETERS
Total Gate Charge
Gate Source Charge
Gate resistance
VGS=0V, VDS=0V, f=1MHz
Total Gate Charge
VGS=10V, VDS=15V, ID=13.4A
Turn-On Rise Time
Turn-Off DelayTime
VGS=10V, VDS=15V, RL=1.1,
RGEN=3
Turn-Off Fall Time
Turn-On DelayTime
m
VGS=4.5V, ID=10A
IS=1A,VGS=0V
VDS=5V, ID=13.4A
Maximum Body-Diode Continuous Current
Input Capacitance
Output Capacitance
DYNAMIC PARAMETERS
RDS(ON)
Static Drain-Source On-Resistance
Forward Transconductance
Diode Forward Voltage
IDSS
A
Gate Threshold Voltage
VDS=VGS ID=250A
VDS=30V, VGS=0V
VDS=0V, VGS= ±12V
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate-Body leakage current
Electrical Characteristics (TJ=25°C unless otherwise noted)
STATIC PARAMETERS
Parameter
Conditions
Body Diode Reverse Recovery Time
Body Diode Reverse Recovery Charge IF=13.4A, dI/dt=500A/s
Drain-Source Breakdown Voltage
On state drain current
ID=250A, VGS=0V
VGS=10V, VDS=5V
VGS=10V, ID=13.4A
Reverse Transfer Capacitance
IF=13.4A, dI/dt=500A/s
A: The value of R θJA is measured with the device mounted on 1in
2 FR-4 board with 2oz. Copper, in a still air environment with
T A=25°C. The value in any given application depends on the user's specific board design.
B: Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature.
C. The R θJA is the sum of the thermal impedence from junction to lead R θJL and lead to ambient.
D. The static characteristics in Figures 1 to 6 are obtained using <300
s pulses, duty cycle 0.5% max.
E. These tests are performed with the device mounted on 1 in
2 FR-4 board with 2oz. Copper, in a still air environment with T
A=25°C. The SOA
curve provides a single pulse rating.
F. The current rating is based on the t≤ 10s junction to ambient thermal resistance rating.
G: L=100uH, VDD=0V, RG=0 , rated VDS=30V and VGS=10V
Rev4: Nov. 2010
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
www.aosmd.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| AO4476A_104 | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15A（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.7 毫欧 @ 15A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:24nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1380pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 |
| AO4476AL | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:24nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1380pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.7 毫欧 @ 15A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:8-SOIC 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 标准包装:3,000 |
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